연구개발

2026년도 반도체 분야 신규 지원대상 연구개발과제 공고

고성능 및 고집적 Si 기반 3D-stacked cap-less 1T DRAM 소자

부처|산업통상자원부
·전문기관|반도체과

주요 정보

지원 유형
연구개발
핵심 키워드
3D 적층 DRAM반도체 공정·소자 개발연구개발(R&D)
사업 규모
523.6억 원
지원금
22.5억 원
지원 가능 기관
대기업중견기업중소기업대학 연구실국공립/민간 연구기관의료기관
공고 등록일
2026-01-13

과제 요약

이 과제는 고성능·저전력화를 목표로 한 Si 기반 3D-stacked cap-less 1T DRAM 소자를 개발하는 연구개발 사업입니다. TRL 3단계 기술을 5단계 수준까지 끌어올리는 것을 목표로 하며, 소자 구조·공정·신뢰성·회로 설계를 포함한 전 주기 기술 확보가 요구됩니다. 총 57개월간 최대 22.5억원의 정부 R&D 자금이 지원되며, 주관기관은 비영리기관이어야 하되 수요기업 참여가 필수입니다. 메모리 성능 향상 기술 개발을 추진하는 대학·연구기관 및 반도체 기업에게 적합한 과제입니다.

요건 충족도?/4

지원 가능 기관 유형대기업, 중견기업, 중소기업, 대학 연구실, 국공립/민간 연구기관, 의료기관
지원 가능 소재지전국
지원 가능 매출액 / 사업연수-/7년 이하
부설 연구소 필요 유무필요

지원 요건

기업부설연구소 요건
필요
컨소시엄 여부
필수
컨소시엄 구조
산·산
과제 수행 이력 요건
참여연구원 국가연구개발사업 참여율 및 참여 과제수 기준 준수 필요

과제 개요

1사업 개요 및 배경

본 사업은 반도체 기술 자립과 글로벌 경쟁력 강화를 위해 시스템반도체, 공정장비, 첨단패키징, 센서, 인력양성 등 핵심 분야를 폭넓게 지원하는 정부 R&D 프로그램입니다. 반도체 공급망 경쟁이 심화되는 가운데 원천기술 확보와 산업 생태계 고도화가 시급하다는 정책적 필요성이 반영되었습니다. 올해는 TRL 단계별 기술성숙도 향상, 산업 연계형 생태계 구축, 인력양성 요구 등을 강화한 것이 특징이며, 기업·대학·연구기관 등 다양한 조직이 참여 가능합니다. 최종적으로 국내 반도체 산업의 자립 기반과 미래 성장동력 창출을 목표로 합니다.

2과제 목표

이 과제는 Si 기반의 3D-stacked cap-less 1T DRAM 기술을 개발하여 메모리 동작 전압을 낮추고 소비전력, 속도, 신뢰성 등 핵심 성능을 대폭 향상시키는 것을 목표로 합니다. 초기 TRL 3단계 수준의 개념 기술을 실험적 검증 수준인 TRL 5단계까지 끌어올리며, 소자 구조 설계, 저전력 공정 기술, 3D 적층 구조 구현, 신뢰성 모델링 및 분석, array·sense amplifier 설계 등 통합적 기술 개발을 포함합니다. 이를 통해 차세대 고성능 DRAM 기술의 원천 IP를 확보하고, 국내 메모리 분야의 기술 우위를 강화할 수 있는 기반을 마련합니다.

3과제 내용

본 과제는 차세대 DRAM 성능을 결정하는 핵심 요소인 소자·공정·구조·회로 기술을 동시에 확보하기 위한 종합 연구개발을 목표로 합니다. 저전력 구동과 고집적화를 동시에 달성하기 위해 cap-less 구조와 3D 적층 방식을 적용하며, 이를 위해 다영역 기술을 체계적으로 개발합니다. 주요 연구 내용은 다음과 같습니다. 1. 저전력 cap-less 1T DRAM 소자 개발 - 소자 구조 설계 및 시뮬레이션 수행 - 동작전압 저감 기술 및 누설전류 억제 기술 연구 - 공정 특성 기반 성능 개선 기술 확보 2. 3D-stacked DRAM 구현을 위한 공정·구조 개발 - 수직 적층 구조 설계와 제조 기술 연구 - 신뢰성 확보를 위한 적층 공정 안정화 기술 개발 - 균일도, 전기적 특성 확보를 위한 공정 조건 정립 3. 신뢰성 분석 및 모델링 기술 개발 - 열·전기적 스트레스 기반 신뢰성 평가 - 메모리 동작 특성의 장기 안정성 모델 구축 - 신뢰성 문제 발생 요인 분석 및 개선 기법 도출 4. array 및 sense amplifier 회로 설계 - 고속·저전력 동작을 위한 회로 구조 설계 - 비트라인 및 워드라인 특성 고려한 array 최적화 - 3D 구조에서의 신호 간섭·노이즈 분석 및 개선 5. TRL 단계 향상을 위한 통합 검증 - TRL 3→5 단계별 검증 계획 수립 및 수행 - 소자·공정·회로 기술 통합 테스트 베드 구축 - 메모리 성능 지표(속도·전력·신뢰성) 정량 목표 달성 검증 본 과제는 수요기업 참여가 필수이며 인건비 비중 및 석·박사 연구 인력 확보 의무 등 인력 조건이 존재합니다. 정부출연금과 민간투자금의 매칭 요구 또한 포함되어 있어, 연구 기반이 있는 대학·연구기관과 관련 기업이 협력해 추진하기 적합한 구조입니다.

과제 세부 내용

공모 유형
본공고
과제 기간
57개월 이내 / 1차년도 9개월, 2~5차년도 각 12개월
사업 규모
523.6억 원
지원금
22.5억 원
지원 내용

연구개발기간 57개월 이내(1차년도 9개월, 2~5차년도 각 12개월), 정부지원연구개발비 ’26년 4.5억원 이내, 총 22.5억원 이내, 주관연구개발기관 비영리기관.

기관 분담률
- 중소·중견기업이 아닌 기업: 정부지원비율 원천기술형 50% 이하 / 혁신제품형 33% 이하, 기관부담현금비율 15% 이상 - 중견기업(3천억 이상): 정부지원비율 원천기술형 70% 이하 / 혁신제품형 50% 이하, 기관부담현금비율 13% 이상 - 중견기업(3천억 미만): 정부지원비율 중소기업 기준 적용 가능 / 기관부담현금비율 10% 이상 - 중소기업: 정부지원비율 원천기술형 75% 이하 / 혁신제품형 67% 이하, 기관부담현금비율 10% 이상 - 그 외(대학·연구기관·의료기관 등 비영리): 정부지원비율 100% 이하 / 기관부담현금비율 필요시 부담 - 산업위기지역 소재 중소기업: 정부지원비율 80% 이하 - 혁신제품형 중견기업: 정부지원비율 65% 이하
기타 세부 사항
[평가절차] 사전검토, 연구개발계획서 평가, 적정성 검토를 거쳐 신규과제를 확정함
[기술료 기준] 기업 유형별로 기술료 상한 및 납부 기준이 상이함
[연구개발비 산정 유의사항] 현물·현금 산정 기준, 인건비 산정 조건, 외주용역 제한 등 다수의 세부 규정 적용
[핵심 성능 목표] 최대 전송속도 64Gbps, 전력 소모 13W 이하
[정량적 목표] 전력(W), 레인당 데이터 전송률(Gb/s), 레인 수, 채널 손실(dB), 국내 파운드리 IP 등록 건수 등 제시 필수
[정량적 목표 제시 요구] 송신단 출력(dBm), 위상/신호레벨 변환 해상도(bit), 수신단 잡음지수(dB), 변환이득(dB), 이미지 제거율(dBc), 라우터 모듈 송신전력, 검증 시나리오 수 등을 연구계획서에 정량적으로 제시해야 함
[정량적 목표 제시 요구] 표준셀 라이브러리는 Reference Library 대비 PPA 개선 수준, 최소 동작 전압(Vmin), 동작속도 등을 제시해야 하며, SRAM 역시 Reference Memory 대비 동작 성능 개선 및 최소 동작 전압(Vmin) 등을 제시해야 함
[정량적 목표] MIPI Controller 표준 적합성 검증, MIPI C/D PHY 레인당 데이터 전송률(Gb/s), ESD 조건, 국내 파운드리 IP 등록 건수 제시 필수
[핵심 목표] 진단검사 판독 정확도 90% 이상, 알림 실시간 전송 성공률 98% 이상
[연구개발계획서 요구사항] 데이터 저장방식, 인증(식약처, ISO TC 198 등), 사업화 전략, 에너지 하베스팅 효율, 최저 구동 전압 등의 정량적 목표치 제시 필수
[성과 목표] 최대연결개수, 통신에러율, 통신거리, NPU 성능·효율, EMC 인증등급, 통신속도/거리, 사업화 전략 등의 정량 목표 제시 필수
[핵심 목표] 동작 전력 50mW 이하, PQC·KpqC 동시 지원(세계 최초)
[필수 제시 정량지표] KCMVP 인증 시험, 암호화 처리 속도, PUF 신뢰성, 동작보장 온도 범위, 보안 안전성 평가(NIST SP 800-90B, ISO/IEC 17825 등)
[정량적 목표 제시 요구] 출력(W), 효율(%), 안테나·렌즈 이득(dBi), 시술모드 개수, 피하층 시술 깊이·정확도, 기기 인증, 사업화 전략 등 정량적 목표 제시 필수.
[활용분야] 산업용 조립로봇, 수술/재활 로봇, 가정용 휴머노이드 로봇에 활용 가능.
[정량적 목표 제출 요구] 탐지거리(Km), 탐지 정확도(%), 전력증폭기 성능(출력파워·효율·이득), 저잡음증폭기 성능(잡음지수·이득), 가상어레이 개수(채널수), 모듈 크기 및 검증 환경 수준 제시 필수
[성과 요구] 신뢰성 특성 확보, 수요처 평가 방안 및 상용화 방안 제시, 공인시험 등 정량적 목표 제시 필수.
[정량적 목표 제시 요구] 심박변이도 지표 측정 정확도, 상태 지표 측정 정확도, AI 가속기 전력효율(TOPS/W), 인지 거리, 인식 객체 수, 테스트 시나리오 등 정량적 목표 제시 필수.
[활용분야] CCTV·감시, 자동차 ADAS 카메라, 산업카메라·비전센서 등 고해상도·저지연·장거리 연결 요구 분야.
[지원 필요성] 국내 고해상도 영상 전송 SoC 핵심 IP 및 전용 SoC 생태계 취약. 안전·교통·산업·의료 분야의 영상 수요 증가에 대응 필요.
[정량적 목표 제시 요구] 연삭률(㎛/min), TTV(㎛), 광학 센서 정확도(㎛), 장비 설계 정확도(㎛), 장비 제어 성능(second) 등 정량적 목표 및 상용화 수준 제시 필수.
[정량적 목표 제시 요구] 온도측정 포인트, 온도측정범위, 연속측정시간, 측정 정확도, 반복측정오차, 센서 두께 등의 상용화 수준과 정량 목표 제시 필수
[정량적 목표 제시 요구] 생산성(UPH), 박막 두께 균일도(WiW/WtW), Ge 농도 균일도(WiW/WtW), 파티클, 결함/두께 측정시간 등 정량 목표 제시 필수
[핵심 목표] 가상 데이터의 지식베이스 자동 연계 정확도 95% 이상, 성능지표 표준화 데이터셋 구축건수, 지식그래프 개체 및 관계 수 등 정량적 목표 제시 필요
[정량적 목표 제시 요구] 검사속도(WPH), 검출 분해능(μm), 결함크기(μm), 워피지 측정 범위(mm), 자동 판정 정확도(%) 등의 정량적 목표 및 상용화 수준을 연구개발계획서 제출 시 필수 제시
[정량적 목표 제시 요구] EMI 흡수효율(dB), 반사율(%), 박막 두께(um), 균일도(%), 단차 피복성(%), 자기특성(μ''), 비저항 변화율(%), 지능화 모델 결함 분류 정확도(%), 불량 검출율(%) 등 정량적 목표를 계획서에 필수 제시.
[정량적 목표 제시 요구] FOV, 검출 분해능, 검사속도(WPH), 시편 피폭량, 결함 자동판정 정확도 등의 정량적 목표 및 상용화 수준 제시 필요
[성과지표 요구] 본딩 인터페이스 온도, 기판 표면 온도, 온도 제어 균일도, 본딩 압력, Warpage 저감률, 적층 단수, Fluxless 산화막 제거 효율 향상 등의 정량 목표 제시 필수.
[정량적 목표 제시 의무] 패널기판 면적, 증착 균일도, Throughput, 구현 미세 선폭 등의 정량적 목표 및 상용화 수준을 연구개발계획서 제출 시 필수로 제시해야 함.
[정량적 목표 요구] 회로폭, 종횡비, 노광장비 해상도·오버레이, 패널 처리속도, 삽입손실, 인터포저 면적, 층수, 신뢰성 평가 방법 등 정량 목표 제시 필수
[핵심 목표] Cu Dishing/Erosion 5nm@8μm Cu pitch, 산포 5% 이하(세계최고수준)
[정량 목표 제출 요구] Dishing(Å), Erosion(Å), Uniformity(%), Removal rate(Å/min), Selectivity(a.u.), Defect(ea) 등 정량 목표 및 상용화 수준 제시 필수
[활용분야] 패널·웨이퍼 레벨 패키징 공정의 비파괴 검사, 실시간 이미지 처리, AI 기반 결함 검출 및 전 공정 품질관리 시스템에 활용 가능하며 PCB, 디스플레이, MEMS 등 정밀 제조 분야로 확장 가능
[성과 요구] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 인력 양성.
[정량적 목표 제시] 메모리 성능, 공정 지표, 신뢰성 지표, sense amplifier 성능 등 핵심주제별 정량적 목표항목 필수 제시.
[정량적 목표 제출] 멀티모달 AI 가속 속도(TOPS), 에너지 효율(TOPS/W), 적층 대역폭(TB/s) 등 목표 수치 제시 필수.
[성과지표] 오픈소스 배포 건수, HPC 노드·코어·메모리 요구량, 계산 정확도 및 속도 향상, MLP 예측 정확도 및 추론 성능 등 정량 목표 제시 필수
[핵심목표] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 인력 양성
[비용 구성 조건] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 인건비 중 석박사 인건비 비중 60% 이상 필수
[성과지표] Retention, endurance, multi-bit, 소자 크기, read latency, 정밀도, TOPS/W, perplexity 등 정량 목표치 제시 필요
[고급인력양성 목표] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 완료 인력 배출
[성과지표 작성 의무] 지원 모듈레이션, 인터페이스 속도, 에너지 효율, 채널 손실 보상, BER 성능 등 정량적 목표 제시 필수
[고급인력 양성 목표] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 인력 양성
[핵심목표] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 고급인력 양성.
[평가·제출 요구] RF 주파수대역, 대역폭, 거리/각도 해상도, 가상 채널 수, 상황인지 종류·정확도 등 정량 목표 제시 필수.
[정량적 목표 제시 의무] Fiber to Chip 삽입손실, 광결합효율, 열 모델 오차, Warpage 해석 오차, Power noise, bump pitch, 전단강도, Void 비율, 결함 검출 정밀도 등 필수 정량 목표 제시 필수.
[핵심 인력양성 목표] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 인력 양성
[필수 정량 목표] 본딩온도, 표면조도, 식각속도, ALA 공정 온도 저감, 금속/절연막 접합력, ALDo 도핑 임계두께 등 연차별 정량목표 제시 필요
[정량적 목표 제출 의무] 기업입주지원, 설계환경구축, 시제품제작지원, 성장지원 프로그램, 운영위원회 개최 등 정량 목표 및 상용화 수준 제시 필수.
기타 지원 조건
[수요기업 참여] 수요기업은 정부지원 없이 참여 가능하며 기관부담연구개발비를 현물로 구성할 수 있음
[청년인력 채용] 청년인력 추가 채용 시 기관부담현금 감액 혜택 적용
[보안 및 안전관리] 보안과제 및 안전관리형 과제의 경우 추가적인 보안·안전조치 의무가 있음
[수요기업 참여] 과제 수행 시 수요기업 참여가 필수임
[기술료] 정부납부기술료 납부대상
[기술료] 정부납부기술료 납부 대상 과제.
[참여 조건] 수요기업 참여가 필수임.
[기술료] 정부납부기술료 납부 대상 과제임.
[기술료] 정부납부기술료 납부 대상 과제임
[민간투자 조건] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 투자해야 하며 총괄기관과 별도 협약 체결 필요.
[인력 관련 조건] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 석·박사 인건비 비중 60% 이상 필수.
[민간투자금] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 지원되며 정부출연금 사용계획과 중복 계상 불가.
[인건비 비중] 총사업비 중 인건비 40% 이상, 인건비 중 석·박사 인건비 60% 이상 필수.
[인력양성] 참여 학생은 kchips.kr 가입 필수 및 배출 인원 관리 적용.
[민간투자 조건] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 지원되며 정부출연금 편성과 중복 계상 불가
[인력 요건] 총사업비 중 인건비 40% 이상, 인건비 중 석박사 인건비 60% 이상 적용
[민간투자금] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 지원되며 총괄기관과 별도 협약 체결 필요
[인건비 비중] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 인건비 중 석박사 비중 60% 이상 필수
[인건비 의무비중] 총사업비 중 인건비 40% 이상, 인건비 중 석박사 인건비 60% 이상 필수
[민간투자금 조건] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 매칭되며 정부출연금 편성내역과 중복 계상 불가
[민간투자 조건] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 매칭되며 총괄기관과 별도 협약 필요.
[인건비 비중] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 인건비 중 석·박사 인건비 비중 60% 이상 필수.
[민간투자 조건] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 매칭되며 연구개발비 사용계획과 중복 계상 불가.
[인건비 비중 조건] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 인건비 중 석박사 인건비 비중 60% 이상 필수.
[인력양성 조건] 석사 45명 이상, 박사 23명 이상 자격검증 인력 양성 필수.
[민간투자금 매칭] 민간투자금은 정부출연금과 동일 비율로 투자해야 하며 총괄기관과 별도 협약 필요
[인건비 비중] 총사업비 중 인건비 비중 40% 이상, 석박사 인건비 비중 60% 이상 필수
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