반도체 및 나노소자 연구실

광운대학교 본교(제1캠퍼스)
구상모 교수 전자재료공학과

Materials Science and Engineering

재료/신소재공학

연구실 소개

반도체 및 나노소자 연구실은 광대역 반도체 기술을 중심으로 다양한 연구를 진행하고 있습니다. 주요 연구 분야로는 Si-on-SiC 구조 기반 차세대 전력 반도체 개발, 1.2kV급 저손실 산화갈륨 트랜지스터 개발, Deep Level Defect 제어에 기반한 고에너지갭 반도체 Ga2O3/SiC 이종접합 양극성 소자 등이 있습니다. 연구실은 산업부, 삼성전자, 현대차 등과의 산학 협력을 통해 SiC 소자 적용을 위한 물성 분석, 산화갈륨 반도체 설계 및 분석을 위한 모델링, 초고내압용 3300V 및 4500V 급 SiC 스위칭 소자 개발 등의 프로젝트를 성공적으로 수행해왔습니다. 또한, 차세대 전력 반도체 소자 제조 전문 인력 양성 및 EV 차량용 반도체 개발을 위한 미래형 인재 양성에도 기여하고 있습니다. 이러한 연구 성과는 다양한 논문과 특허로 이어지며, 연구실의 높은 연구 역량을 입증하고 있습니다.

광대역 밴드갭 반도체

광대역 반도체

SiC 전력 소자

Ga2O3 트랜지스터

깊은 레벨 결함 제어

연구 분야

차세대 전력반도체 개발

반도체 및 나노소자 연구실은 차세대 전력반도체 개발을 위해 다양한 연구를 진행하고 있습니다. 특히, Si-on-SiC 구조를 기반으로 한 전력반도체 개발과 1.2kV급 저손실 산화갈륨 트랜지스터 개발에 주력하고 있습니다. 이와 관련하여, Ga2O3/SiC 이종접합 양극성 소자의 고에너지갭 반도체 연구와 SiC 소자 적용을 위한 물성 분석을 통해 전력반도체의 성능을 향상시키기 위한 다양한 기술을 탐구하고 있습니다. 또한, 초고내압용 3300V 및 4500V 급 SiC 스위칭 소자 개발을 통해 고효율 고신뢰성 EV 차량용 반도체 개발에 기여하고자 합니다. 이러한 연구는 산업부와 삼성전자, 현대차 등과의 협력을 통해 진행되며, 차세대 전력반도체 제조를 위한 전문 인력 양성에도 힘쓰고 있습니다.