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Advanced Semiconductor Device Lab.

광운대학교 본교(제1캠퍼스)
이대석 교수 반도체시스템공학부

Materials Science and Engineering
재료/신소재공학

연구실 소개

고급 반도체 디바이스 연구실(Advanced Semiconductor Device Lab)은 반도체시스템공학부에 소속되어 있으며, 전기화학적 랜덤 액세스 메모리(ECRAM), 투명 슈퍼캐패시터, 뉴로모픽 컴퓨팅, 시냅스 디바이스 분야에서 활발한 연구를 진행하고 있습니다. 특히, ECRAM 분야에서는 다층 구조의 시냅스 디바이스의 내부 저항 효과와 산소 저장층의 역할에 대한 연구를 통해 저전력 동작 및 고밀도 통합을 위한 기술을 개발하고 있습니다. 투명 슈퍼캐패시터 분야에서는 투명도와 용량 간의 딜레마를 극복하기 위한 고체 전해질을 연구하고 있으며, 뉴로모픽 컴퓨팅 분야에서는 금속 산화물 기반의 시냅스 디바이스를 활용한 선형 I-V 특성 및 아날로그 입력 처리 시스템을 개발하고 있습니다. 이러한 연구 성과는 다수의 논문과 학회 발표를 통해 입증되었으며, 관련 특허도 다수 보유하고 있습니다.
전기화학적 랜덤 액세스 메모리
투명 슈퍼캐패시터
뉴로모픽 컴퓨팅
시냅스 소자
시냅스 디바이스

연구 분야

light bulb icon차세대 저전력 신경모사 소자 연구

차세대 저전력 신경모사 소자는 인공지능 및 신경망 시스템의 발전에 큰 기여를 할 수 있는 중요한 연구 분야입니다. 연구실에서는 다층 구조의 시냅스 소자를 활용하여 저전력으로 작동할 수 있는 내부 저항 효과를 연구하고 있습니다. 이 기술은 고밀도 집적이 가능하며, 산소 이온 기반 전기화학 랜덤 접근 메모리(ECRAM)의 성능을 개선하는 데 중점을 두고 있습니다. 또한, 전해질 층의 역할을 규명하여 CMOS 호환성과 산화물 기반 수직 3단자 ECRAM의 성능을 극대화하는 연구도 진행 중입니다. 이를 통해 고성능, 저전력, 고밀도의 신경모사 소자를 개발하여 인공지능 및 신경망 시스템의 효율성을 높이고자 합니다.

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주요 논문

1
Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation
NANOMATERIALS
2024
2
Three dimensional vertical structural electrochemical random access memory for high density integrated synapse device
Scientific Reports
2023
3
Impact of Oxygen Reservoir Layer on 3T Oxygen Ion-based Electrochemical Random Access Memory Performance
Advanced Electronic Materials
2023
4
Role of the electrolyte layer in CMOS-compatible and oxide-based vertical three-terminal ECRAM
Journal of Materials Chemistry C
2023
5
Solid state thin electrolyte to overcome transparency-capacity dilemma of transparent supercapacitor
Scientific Reports
2022
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Advanced Semiconductor Device Lab.
광운대학교 본교(제1캠퍼스) 반도체시스템공학부
이대석 교수
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