Advanced neuromorphic semiconducting device Laboratory

인하대학교 본교(제1캠퍼스)
이문상 교수 신소재공학과

Materials Science and Engineering

재료/신소재공학

연구실 소개

신소재공학과의 Advanced neuromorphic semiconducting device Laboratory는 뇌를 모방한 시냅스 구조의 실현과 0과 1을 넘어서는 다치 논리 개발에 중점을 두고 있습니다. 이 연구실은 다중 논리 상태를 수용할 수 있는 소자를 개발하며, 전력 소모와 계산 효율성 문제를 해결하는 데 주력하고 있습니다. 또한 플라즈몬 핫 캐리어의 기초와 응용, 복합 반도체 재료와 소자의 개발에도 중요한 기여를 하고 있습니다. 최근 3년간 이 연구실은 다양한 국제 학술지에 다수의 논문을 발표하였으며, 여러 특허를 출원 및 등록하였습니다. 특히, 저전력 소비 재구성 가능한 2차원 텔루렌 인공 시냅스와 같은 혁신적인 연구 성과를 통해 바이오 영감을 받은 웨어러블 엣지 컴퓨팅 분야에서 주목받고 있습니다.

뉴로모픽 소자

다치 논리

플라즈몬 핫 캐리어

연구 분야

초저전력 생체모사 웨어러블 엣지 컴퓨팅을 위한 인공 시냅스

차세대 웨어러블 디바이스 개발에 있어서, 인공 시냅스는 저전력 소모와 고효율을 동시에 달성해야 하는 중요한 과제입니다. 최근 연구에서는 2차원 텔루렌 소재를 이용한 초저전력 인공 시냅스 개발에 성공하였습니다. 텔루렌은 높은 전도성과 유연성을 가지며, 다양한 환경에서도 안정적인 성능을 보여줍니다. 이러한 특성은 생체신경망을 모사하는데 매우 유리하며, 프론트-엔드 엣지 컴퓨팅 장치에서의 사용을 가능하게 합니다. 이 연구는 차세대 웨어러블 기술의 혁신을 위한 중요한 발판을 마련할 것입니다.

광촉매 및 환경 정화 응용을 위한 나노구조 복합 반도체 개발

환경 오염 문제를 해결하기 위한 다양한 기술 중, 나노구조 복합 반도체를 이용한 광촉매는 중요한 연구 분야로 자리잡고 있습니다. 최근 연구에서는 수중 방전 플라즈마를 이용해 황과 탄소가 공도핑된 TiO2 광촉매를 개발하였습니다. 이 광촉매는 가시광 영역에서도 높은 활성도를 보이며, 유해 물질의 효과적인 제거가 가능합니다. 안정된 촉매 성능과 높은 효율성을 바탕으로, 실세계 환경 정화 시스템에 적용 가능성이 높습니다. 이러한 기술은 산업 폐수 처리 및 대기 오염 방지에 큰 기여를 할 것입니다.

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주요 논문

Highly visible-light-active sulfur and carbon co-doped TiO2 (SC-TiO2) heterogeneous photocatalysts prepared by underwater discharge plasma

Ha-Rim An, Chaehun Lim, Chung Gi Min, Byoungchul Son, Chang-Yeon Kim, Ji-In Park, Jong Pil Kim, Yesul Jeong, Jiwon Seo, Moonsang Lee, Jihyang Park, Young-Seak Lee, Hyun Uk Lee

Chemosphere

2024

Extremely Low-power-consumption Reconfigurable Two-dimensional Tellurene Artificial Synapse for Bio-inspired Wearable Edge Computing

Bolim You, Jeechan Yoon, Yuna Kim, Mino Yang, Jina Bak, Jihyang Park, Unjeong Kim*, Myung Gwan Hahm*, Moonsang Lee*

J. Mater. Chem. C

2024

Hyperspectral imaging of complex dielectric functions in 2D materials

Un Jeong Kim, Yoojoong Han, Florence A. Nugera, Seok Joon Yun, Seok In Kim, Moonsang Lee, Humberto R. Gutierrez, Young Hee Lee, Hyungbin Son

Nano Today

2024

Trap-assisted monolayer ReSe2/Si heterojunction with high photoconductive gain and self-driven broadband photodetector

Beomsu Jo, Kanghoon Seo, Kyumin Park, Chaewon Jeong, Bathalavaram Poornaprakash, Moonsang Lee, Singiri Ramu, Myung Gwan Hahm, Young Lae Kim