SEMICONDUCTING THIN-FILM ENGINEERING LAB

인하대학교 본교(제1캠퍼스)
백인환 교수 화학공학과

Materials Science and Engineering

재료/신소재공학

연구실 소개

화학공학과의 SEMICONDUCTING THIN-FILM ENGINEERING LAB은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)을 이용한 박막 트랜지스터 및 이차원 물질 연구에 주력하고 있습니다. 최근 3년간 다양한 프로젝트와 연구 성과를 통해 높은 연구 역량을 입증하였습니다. 특히, 2023년에는 'Top-to-Bottom Local Epitaxial Growth of the Two-Dimensional Antimony Telluride Film by Atomic Layer Deposition Using Sacrificial Germanium Telluride'와 같은 논문을 발표하며 이차원 물질의 성장과 특성 제어에 대한 중요한 성과를 거두었습니다. 또한, 산화물 반도체를 이용한 고성능 박막 트랜지스터 개발에 있어서도 'Controlled orientation and microstructure of p-type SnO thin film transistors with high-k dielectric for improved performance'와 같은 연구를 통해 실질적인 기술 발전을 이루어냈습니다. 이러한 연구 성과는 기업과의 협업을 통해 실용적인 응용 분야로 확장될 수 있는 가능성을 보여줍니다.

원자층 증착

박막 트랜지스터

이차원 소재

이차원 물질

산화물 반도체

연구 분야

2차원 안티모니 텔루라이드 박막 성장 기술

2차원 안티모니 텔루라이드 박막을 원자층 증착법(ALD)을 통해 성장시키는 기술은 최근 많은 주목을 받고 있습니다. 이 연구는 희생 게르마늄 텔루라이드 층을 사용하여 하향식으로 국부적 에피택셜 성장을 유도함으로써 고품질의 2차원 박막을 형성하는 것을 목표로 합니다. 이러한 박막은 반도체 소자 및 데이터 저장 시스템에 중요한 역할을 할 수 있으며, 특히 박막 트랜지스터의 성능 향상에 기여할 수 있습니다. 또한, 다양한 산화물 및 칼코게나이드 재료와의 호환성을 높여 다기능적 전자 소자의 개발에 기여할 수 있습니다.