이우재 연구실

원자층 증착을 통한 차세대 반도체 소자의 소재 설계 및 개발

차세대반도체공학전공에서는 원자층 증착(ALD) 기술을 이용하여 고성능 반도체 소자의 소재를 설계하고 개발하는 연구를 진행하고 있습니다. ALD 기술은 나노미터 수준의 두께 조절이 가능하며, 균일한 박막을 형성할 수 있어 차세대 반도체 소자에 적합한 기술로 인정받고 있습니다. 이 연구에서는 다양한 금속 산화물 및 합금 소재를 합성하여 전기적 특성과 기계적 특성을 최적화하고, 이를 통해 고효율 반도체 소자를 구현하고자 합니다. 또한, 새로운 제조 공정과 소재 개발을 통해 기존 반도체 소자의 한계를 극복하고, 더욱 향상된 성능을 가진 소자를 개발하는 것을 목표로 하고 있습니다.

고성능 연료 전지용 촉매 개발

연료 전지의 성능을 극대화하기 위해 고성능 촉매를 개발하는 연구를 진행하고 있습니다. 특히, 원자층 증착을 이용하여 고활성, 고안정성을 가진 촉매를 제조하고 있습니다. 이 연구는 전이금속 및 합금을 이용하여 나노 구조를 설계하고, 이를 통해 촉매의 활성 사이트를 극대화하여 연료 전지의 효율을 높이는 것을 목표로 하고 있습니다. 또한, 다양한 전처리 및 후처리 공정을 통해 촉매의 내구성을 향상시키며, 상용화 가능성을 높이고자 합니다. 이를 통해, 고성능 연료 전지의 상용화를 앞당기고, 지속 가능한 에너지 솔루션을 제공하는 데 기여하고자 합니다.

Material Design and Development of Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) is a technique employed to synthesize ultra-thin films at the atomic scale through chemical adsorption. As semiconductor devices are scaled down and nanotechnology advances, ALD has become an integral method for precisely manipulating the atoms. Therefore, it is crucial to design and develop new materials by utilizing novel precursors and reactants that are tailored to the specific reaction pathways involved. So, we are focusing on the development of ALD process using the new precursor and alternative reactants.