펌핑 전압을 발생하는 반도체 메모리 장치의 펌핑 전압 발생 회로로서, 상기 반도체 메모리 장치는 복수개의 워드라인들과 복수개의 데이터 라인들로 형성되는 매트릭스 구조상에 배열되는 다수개의 메모리 셀들을 포함하되, 상기 복수개의 워드라인들은 셀프 리프레쉬 동작에서의 리프레쉬 순차 신호의 복수개의 펄스 발생들에 대응하여 순서적으로 활성화되는 상기 펌핑 전압 발생 회로에 있어서,펌핑 인에이블 신호와 상기 리프레쉬 순차 신호를 수신하여 구동력 조절 정보를 발생하는 조절 정보 발생 블락으로서, 상기 구동력 조절 정보는 펌핑 기준수의 상기 펌핑 인에이블 신호의 펄스 발생 동안에 상기 리프레쉬 순차 신호의 펄스수가 미리 설정된 타켓 펄스수 범위 내에 해당하는 갯수의 펄스가 발생되도록 조절되는 상기 조절 정보 발생 블락;전체 펌핑 구동력으로 상기 펌핑 전압을 발생하는 펌핑 발생 블락으로서, 상기 전체 펌핑 구동력은 상기 구동력 조절 정보의 데이터값에 따르는 상기 펌핑 발생 블락; 및상기 펌핑 전압의 레벨을 감지하여 상기 펌핑 인에이블 신호를 발생하는 레벨 감지 블락으로서, 상기 펌핑 인에이블 신호는 상기 펌핑 전압의 레벨이 타켓 레벨 범위를 벗어남에 따라 활성화되며, 상기 펌핑 전압의 레벨이 타켓 레벨 범위 내에 진입함에 따라 비활성화되는 상기 레벨 감지 블락을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 펌핑 전압 발생 회로.