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(주)에이피에스

박막 봉지층, 박막 봉지층의 형성방법, 박막 봉지층을 포함하는 소자, 박막 봉지층을 포함하는 소자의 제조방법 및 소자 제조 프로세싱 장치

Thin film encapsulation layer, method of forming thin film encapsulation layer, device including thin film encapsulation layer, method of manufacturing device including thin film encapsulation layer, and device manufacturing processing apparatus

특허 요약

박막 봉지층, 박막 봉지층의 형성방법, 박막 봉지층을 포함하는 소자, 박막 봉지층을 포함하는 소자의 제조방법 및 소자 제조 프로세싱 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 박막 봉지층의 형성방법은 다층 구조를 갖는 박막 봉지층을 형성하는 방법일 수 있고, 소자 패널 상에 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용해서 진공 조건에서 제1 무기막을 형성하는 단계, 상기 제1 무기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 실리콘 옥시카바이드(silicon oxycarbide)를 포함하는 유기막을 형성하는 단계, 상기 유기막을 자외선(UV ray)을 이용해서 진공 조건에서 경화하여 경화된 유기막을 형성하는 단계, 및 상기 경화된 유기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 제2 무기막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

청구항

번호	청구항
1	다층 구조를 갖는 박막 봉지층(thin film encapsulation layer)(TFE층)의 형성방법으로서, 소자 패널 상에 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용해서 진공 조건에서 제1 무기막을 형성하는 단계; 상기 제1 무기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 실리콘 옥시카바이드(silicon oxycarbide)를 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 자외선(UV ray)을 이용해서 진공 조건에서 경화하여 경화된 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 경화된 유기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 제2 무기막을 형성하는 단계;를 포함하는, 다층 구조를 갖는 박막 봉지층의 형성방법.

번호

청구항

다층 구조를 갖는 박막 봉지층(thin film encapsulation layer)(TFE층)의 형성방법으로서, 소자 패널 상에 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용해서 진공 조건에서 제1 무기막을 형성하는 단계; 상기 제1 무기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 실리콘 옥시카바이드(silicon oxycarbide)를 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막을 자외선(UV ray)을 이용해서 진공 조건에서 경화하여 경화된 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 경화된 유기막 상에 PECVD 공정을 이용해서 진공 조건에서 제2 무기막을 형성하는 단계;를 포함하는, 다층 구조를 갖는 박막 봉지층의 형성방법.

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