제10항에 있어서,상기 제2 버퍼층의 두께는 상기 제3 버퍼층의 두께보다 작은, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 제1 버퍼층의 유리전이온도보다 높은 온도에서 수행되는, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 120℃ 이상이고 200℃ 이하의 온도에서 수행되는, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 적어도 하나의 박막트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하는 박막트랜지스터인, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드, 발광 다이오드 또는 마이크로 발광 다이오드인, 디스플레이 장치의 제조 방법.

기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 버퍼층, 제2 버퍼층 및 제3 버퍼층을 형성하는 단계;상기 제1 버퍼층의 상면, 상기 제2 버퍼층 및 상기 제3 버퍼층이 굴곡진 형태를 갖도록 하기 위해 상기 제1 내지 제3 버퍼층이 형성된 상기 기판을 열처리하는 단계; 및상기 제3 버퍼층 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하는, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리를 하는 단계는 산소 플라즈마를 이용하여 수행되는, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 유기 물질로 형성되고,상기 제2 버퍼층 및 상기 제3 버퍼층은 무기 물질로 형성되는, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제3항에 있어서,상기 제2 버퍼층의 두께는 상기 제3 버퍼층의 두께보다 작은, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 제1 버퍼층의 유리전이온도보다 높은 온도에서 수행되는, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 120℃ 이상이고 200℃ 이하의 온도에서 수행되는, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 박막트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하는 박막트랜지스터인, 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.

기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 버퍼층, 제2 버퍼층 및 제3 버퍼층을 형성하는 단계;상기 제1 버퍼층의 상면, 상기 제2 버퍼층 및 상기 제3 버퍼층이 굴곡진 형태를 갖도록 하기 위해 상기 제1 내지 제3 버퍼층이 형성된 상기 기판을 열처리하는 단계; 상기 제3 버퍼층 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 적어도 하나의 박막트랜지스터 상에 적어도 하나의 발광 소자를 형성하거나 배치하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 플라즈마 처리를 하는 단계는 산소 플라즈마를 이용하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 유기 물질로 형성되고,상기 제2 버퍼층 및 상기 제3 버퍼층은 무기 물질로 형성되는, 디스플레이 장치의 제조 방법.