A) CsPbBr3 코어 전구체를 포함하는 제1 용액을 준비하는 단계;B) 아연 할로겐화물을 포함하는 제2 용액을 준비하는 단계; C) 황을 포함하는 제3 용액을 준비하는 단계; D) 상기 제2 용액에 상기 제1 용액을 주입하여 CsPbBr3 코어 전구체의 음이온을 치환하여 CsPb(Br1-xClx)3(0003c#x003c#1) 코어를 형성하는 단계; 및E) 상기 D 단계에서 얻어진 용액에 상기 제3 용액을 주입하여 ZnS 쉘층으로 상기 CsPb(Br1-xClx)3(0003c#x003c#1) 코어를 둘러싸는 단계를 포함하는, 상기 D) 단계 및 상기 E) 단계는 원-팟(one-pot) 공정으로 진행되는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 제2 용액은 ZnCl2, 올레일아민(Oleylamine) 및 옥타데센(1-octadecene)을 포함하는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

제2항에 있어서, 상기 제2 용액은 ZnBr2을 더 포함하는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 제3 용액은 황 분말 및 옥타데센(1-octadecene)을 포함하는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 D) 단계는 100℃ 내지 130℃의 제1 온도에서 수행되는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

제5항에 있어서, 상기 E) 단계는 상기 제1 온도에서 수행된 후, 135℃ 내지 145℃의 제2 온도에서 수행되는, 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자의 제조 방법.

하부 전극을 구비한 기판을 마련하는 단계;상기 하부 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 발광층을 형성하는 단계는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따라 제조된 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자들을 상기 정공 수송층의 표면에 코팅하는 단계를 포함하는, 발광 소자의 제조 방법.

제7항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따라 제조된 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노 입자들을 옥탄(octane)에 분산시켜 코팅 용액을 준비하는 단계;상기 정공 수송층 상에 상기 코팅 용액을 코팅하는 단계;코팅된 상기 코팅 용액을 열처리하는 단계를 포함하는, 발광 소자의 제조 방법.

하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 배치되고 페로브스카이트 나노 입자를 포함하는 발광층;상기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및상기 전자 수송층 상에 배치된 상부 전극;을 포함하고,상기 페로브스카이트 나노 입자는 CsPb(Br1-xClx)3(0003c#x003c#1) 코어가 ZnS 쉘층로 둘러싸인 구조를 가지는, 발광 소자.

제9항에 따른 발광 소자를 서브 화소에 포함하는, 표시 장치.