대성금속(주)
구리-그래핀 및 은 나노입자를 포함하여 본딩된 전력 반도체 패키지 및 그 제조 방법
POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BONDING COMPRISING CU-GRAPHENE AND SILVER NANOPARTICLE AND PREPARING METHOD THEREOF
특허 요약
본 발명은 금속을 포함하는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트 상에 제공된 전력 반도체칩 집합체; 및 상기 전력 반도체칩 집합체와 상기 베이스 플레이트 사이에 제공되어 상기 전력 반도체칩 집합체와 상기 베이스 플레이트를 접착시키는 베이스 플레이트 본딩부를 포함하고, 상기 베이스 플레이트 본딩부는 구리-그래핀 복합체, 은 나노입자 및 바인더를 포함하는 전력 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 플레이트를 구성하는 금속과 본딩부에 포함되는 금속의 종류를 맞추어, 베이스 플레이트와 본딩부간 접착력을 강화하였고, 저온 소결을 통해 제조할 수 있도록 하여 공정 편의성을 높였다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 금속을 포함하는 베이스 플레이트;상기 베이스 플레이트 상에 제공된 전력 반도체칩 집합체; 및상기 전력 반도체칩 집합체와 상기 베이스 플레이트 사이에 제공되어 상기 전력 반도체칩 집합체와 상기 베이스 플레이트를 접착시키는 베이스 플레이트 본딩부를 포함하고,상기 베이스 플레이트 본딩부는 구리-그래핀 복합체, 은 나노입자 및 바인더를 포함하고,상기 베이스 플레이트 본딩부에는 상기 구리-그래핀 복합체가 20 중량% 내지 40 중량%, 상기 은 나노입자가 50 중량% 내지 70 중량% 비율로 포함되고,상기 베이스 플레이트 본딩부에는 상기 구리-그래핀 복합체 입자간, 상기 구리-그래핀 복합체 입자와 상기 베이스 플레이트간 연결된 아령 모양의 융합 입자가 제공되는, 전력 반도체 패키지. |
