InP 재질이며, 50마이크로미터 두께로 이루어진 정사각형 형상의 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼의 윗면에 1마이크로미터 두께의 n형 InGaAsP층을 성장시켜 증착하는 단계; 및상기 n형 InGaAsP층의 윗면 각 4개의 모서리에 이등변 직각삼각형 형상의 4개의 제 1 코너 금속 접촉부 내지 제 4 코너 금속 접촉부 및 상기 n형 InGaAsP층의 윗면 중앙부에 원형 형상의 중앙 금속 접촉부를 형성하는 단계;를 포함하는, 배터리 및 광학소자용 접촉부 제조 방법.

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 코너 금속 접촉부 내지 제 4 코너 금속 접촉부, 및 중앙 금속 접촉부는 주석(Sn)으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 배터리 및 광학소자용 접촉부 제조 방법.

제 2 항에 있어서, 상기 제 1 코너 금속 접촉부 내지 제 4 코너 금속 접촉부, 및 중앙 금속 접촉부는 주석(Sn)으로 형성할 때, 상기 제 1 코너 금속 접촉부 내지 제 4 코너 금속 접촉부, 및 중앙 금속 접촉부를 제외한 상기 n형 InGaAsP층의 윗면에, 마스크를 형성한 다음, 원자 물리 기상 증착법(Atomistic Physical Vapor Depostion)으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 배터리 및 광학소자용 접촉부 제조 방법.

제 3 항에 있어서, 상기 제 1 코너 금속 접촉부 내지 제 4 코너 금속 접촉부, 및 중앙 금속 접촉부는, 10nm 또는 50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 배터리 및 광학소자용 접촉부 제조 방법.

제 4 항에 있어서, 상기 접촉부가 배터리 및 광학소자의 양극에 접촉하는 경우에는, 10nm의 두께로 주석을 형성하고, 상기 접촉부가 배터리 및 광학소자의 음극에 접촉하는 경우에는, 50nm의 두께로 주석이 형성되는 것을 특징으로 하는, 배터리 및 광학소자용 접촉부 제조 방법.