대한광통신(주)
TiO2-SiO2 유리체의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 유리체
Method for manufacturing TiO2-SiO2 glass body and glass body menufactured thereby
특허 요약
TiO 2 -SiO 2 유리체의 제조방법은, VAD 방식으로 이루어지는 퇴적 단계, 탈수 단계, 소결 단계, 성형 단계 및 어닐링 단계를 포함한다. 이 제조 방법을 통하여 제조된 TiO 2 -SiO 2 유리체는, TiO 2 의 농도가 3 ~ 10 질량 % 이고, OH 기의 농도가 최대 600 질량 ppm 이며, Ti 3+ 의 농도가 최대 70 wtppm이고, 가상 온도는 최대 1200 ℃ 이며, 0 ~ 100 ℃ 에서 열팽창 계수 CTE 0-100 는 0±150 ppb/℃ 이고, 400 ~ 700 nm 의 파장 대역에서 두께 1 mm 당 내부 투과율 T 400-700 은 80 % 미만인 TiO 2 를 함유한 실리카계 유리체를 얻을 수 있다. 이러한 실리카계 유리체는, 공정에서 불소(F)가 이용되지 않기 때문에, 자연 대기에 포함된 수준의 함량의 불소를 포함한다. 예를 들어, 불소의 농도는 100 wtppm 미만이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | TiO2-SiO2 유리체를 제조하는 방법으로서,(a) Si 전구체 및 Ti 전구체를 원료물질로 하여 화염 가수분해 반응을 통해 TiO2-SiO2 유리 미립자를 형성 및 퇴적시켜 다공질 수트(soot)를 형성하는 단계;(b) 상기 단계 (a)에서 형성된 다공질 수트를 염소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스로 채워진 반응조 내에서 열처리하는 탈수 단계;(c) 상기 다공질 수트를 승온하여 소결된 유리체를 얻는 소결 단계;(d) 상기 소결된 유리체를 연화점 이상의 온도로 가열하여 성형시켜 성형된 유리체를 얻는 성형 단계; 및,(e) 상기 성형된 유리체의 가상 온도를 제어하기 위하여 어닐링 처리하는 열처리 단계를 포함하는 TiO2-SiO2 유리체를 제조하는 방법. |
