(주)아르케
전력 반도체의 에피텍셜 성장 방법
METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF POWER SEMICONDUCTOR
특허 요약
본원은 (a) 기판을 챔버 내에 배치하는 단계; (b) 상기 챔버 내에 캐리어 가스, Si 전구체 및 C 전구체를 공급하는 단계; (c) 상기 기판 상에 SiC 층을 에피텍셜 성장시키는 단계; 및 (d) 상기 SiC 층을 후처리하는 단계; 를 포함하고, 상기 (d) 단계는 상기 에피텍셜 성장된 SiC 층에 자외선 및 음향파를 조사하는 단계;를 포함하고, 상기 자외선은 200 nm 내지 400 nm 의 파장을 갖고, 상기 음향파는 500 kHz 내지 5 MHz 의 주파수를 포함하는 것인, SiC 반도체의 에피텍셜 성장 방법에 대한 것이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | SiC 반도체의 에피텍셜 성장 방법에 있어서,(a) 기판을 챔버 내에 배치하는 단계;(b) 상기 챔버 내에 캐리어 가스, Si 전구체 및 C 전구체를 공급하는 단계;(c) 상기 기판 상에 SiC 층을 에피텍셜 성장시키는 단계; 및(d) 상기 SiC 층을 후처리하는 단계;를 포함하고,상기 (d) 단계는 상기 에피텍셜 성장된 SiC 층에 자외선 및 음향파를 조사하는 단계;를 포함하고,상기 자외선은 200 nm 내지 400 nm 의 파장을 갖고,상기 음향파는 500 kHz 내지 5 MHz 의 주파수를 포함하는 것인,SiC 반도체의 에피텍셜 성장 방법. |
