본 발명의 일실시 형태는, n형 반도체 기판층, 회절격자층, 활성층, 및 p형 반도체 클래드층이 순차적으로 적층되고, 상기 회절격자층 및 활성층의 일부영역을 남기도록 상기 n형 반도체 기판층과 p형 반도체 클래드층 사이에 순차적으로 적층된 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 레이저 다이오드에서, 상기 활성층 상부 영역의 p형 반도체 클래드층 상에 형성되는 p 전극과, 상기 활성층 상부 영역의 p형 반도체 클래드층 상에 형성되며, 상기 p 전극이 형성된 영역 이외의 영역에 상기 p 전극과 분리되어 형성되는 히터전극, 및 상기 n형 반도체 기판층의 하면에 형성되는 n 전극을 포함하는 레이저 다이오드를 제공할 수 있다.