| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 에피구조 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 제1 레지스트를 형성하는 단계;상기 제1 레지스트에 대해 게이트 풋이 형성될 수 있도록 음각으로 패턴을 형성하는 단계;게이트 풋이 형성될 음각 패턴에 의해 노출된 기판 위에 제2 레지스트를 도포하는 단계;형성될 게이트 풋의 선폭보다 넓은 패턴이 새겨진 레티클을 통해 노광 하고 현상하여 상기 제2 레지스트에 추가적인 마스크 패턴을 형성하는 단계;마스크 패턴이 형성된 기판에 금속을 증착하는 단계;유기용제를 이용하여 리프트 오프 방식으로 상기 제2 레지스트 및 제2 레지스트 위에 형성된 금속을 포함한 불필요한 금속을 제거하는 단계; 및상기 제1 레지스트를 전용 스트리퍼를 사용하여 제거하고 최종적으로 티게이트가 형성되는 단계;를 포함하며,상기 제1 레지스트와 제2 레지스트는 이종 레지스트로서, 제1 레지스트는 이빔 전용 레지스트이고, 제2 레지스트는 아이라인용 네거티브 포토레지스트 또는 이미지 반전용 포토레지스트이고,상기 음각 패턴의 선폭은 게이트 풋의 선폭에 해당하고, 제2 레지스트에 형성된 추가적인 마스크 패턴은 게이트 풋이 형성될 자리와 게이트 풋 상단의 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 개구부를 포함하고,상기 마스크 패턴에서 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 형성된 개구부는 게이트 전극 몸체 부분 보다 큰 부피로 형성되고, 아래 쪽으로 개구부 단면적이 확장되는 형태인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트(HEMT T-Gate) 형성 방법. |
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| 4 | 제1항에 있어서, 게이트 풋의 선폭은 1μm 이하의 미세선폭 인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법. |
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| 6 | 제1항에 있어서, 제1 레지스트에 상기 음각 패턴을 형성할 때에는 이빔 리소그래피 장비가 적용되고, 제2 레지스트에 마스크 패턴을 형성할 때에는 아이라인 스테퍼가 적용된 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법. |
| 7 | 제1항에 있어서, 기판은 인화인듐(InP, Indium Phosphide), 갈륨비소(GaAs, Galium Arsenide), 질화갈륨(GaN, Galium Nitride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법. |
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