실리콘 나노입자 및 흑연 입자를 분산상으로 포함하고 연속상의 탄소체를 포함하는 코어; 및 상기 코어 표면에 위치하는 탄소 코팅층;을 포함하며, 상기 탄소 코팅층의 라만 분광 스펙트럼(Raman Spectroscopy)에서, D 밴드 피크와 G 밴드 피크의 최대 강도의 비(ID/IG)는 1 미만이며, G 밴드 피크의 반치전폭(FG) 은 90 ㎝-1 이하인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 라만 분광 스펙트럼에서, 상기 반치전폭을 형성하는 G 밴드 곡선의 두 교점 중 최저 파수와 상기 G 밴드 곡선 피크의 최대 파수의 차이(DA)와, 상기 두 교점 중 최고 파수와 상기 최대 파수의 차이(DB)의 비(DA : DB)는 1 : 1.1 내지 1.5인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 라만 분광 스펙트럼의 파수 1581.5 내지 1586.0 ㎝-1에서 상기 G 밴드 최대 피크 강도(IG)를 가지는, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 이차전지용 음극재는 X선 회절(X-Ray Diffraction, XRD) 패턴의 (111)면으로부터 산출된 실리콘 결정자 크기가 10 nm 이상인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,X선 회절(X-Ray Diffraction, XRD) 패턴에서, 2θ가 26.5±0.5°및 28±0.5°에서 회절 피크를 가지며, 26±0.5°의 피크가 28±0.5°의 피크보다 강도가 더 큰, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 이차전지용 음극재는 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)을 통한 Si2p 분석 패턴에서, 100±1 eV에서 피크의 강도가 104±1 eV에서 피크의 강도보다 큰, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 이차전지용 음극재는 질소 흡탈착 등온선 그래프의 상대압력 0.8(P/P0)에서의 흡착량 차(HI0.8)와 상대압력 0.6(P/P0)에서의 흡착량의 차(HI0.6)의 비(HI0.8/HI0.6)가 1.5 이상인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 탄소체는 소프트 카본인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 탄소체는 석탄계 또는 석유계 피치로부터 유래된 것인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 실리콘 나노입자는 부피 적산 D50에 해당하는 평균 직경이 20 내지 70 ㎚인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 코어 총 중량 중 실리콘 나노입자는 흑연 입자보다 더 많은 함량으로 포함되는, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 코어는 이온 전도성 물질을 더 포함하는, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 흑연 입자는 천연 흑연 입자인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 음극재는 부피 적산 D50에 해당하는 평균 직경이 8 내지 20 ㎛인, 이차전지용 음극재.

제1항에 있어서,상기 탄소 코팅층의 두께는 5 내지 200 ㎚인, 이차전지용 음극재.

제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 이차전지용 음극재를 포함하는 이차전지.