온도 상승에 대응하여 포지티브 특성을 갖는 제1전류, 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최저 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제2전류, 및 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최고 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제3전류 - 상기 제2전류보다 예정된 크기만큼 큼 - 를 생성하기 위한 전류 생성부; 상기 제1전류의 크기에 대응하는 디지털 코드 값을 온도 정보로서 출력하기 위한 아날로그-디지털 변환부를 구비하며, 상기 아날로그-디지털 변환부는, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 제3전류를 결합한 전류의 크기와 상기 제1전류의 크기를 비교하고, 비교결과에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제1항에 있어서, 상기 전류 생성부는, 제1바이폴라 트랜지스터의 제1이미터 전류가 설정된 저항값을 갖는 제1저항으로 소싱되도록 하고, 상기 제1저항에서 제2바이폴라 트랜지스터의 제2이미터 전류 - 상기 제1이미터 전류보다 예정된 배수 큼 - 가 싱킹되도록 하여 상기 제1전류를 생성하는 제1전류 생성부; 상기 제1전류 생성부에 캐스캐이드 접속됨으로써 제2바이폴라 트랜지스터의 제2이미터 전류가 설정된 저항값을 갖는 제2저항으로 공급되도록 하여 상기 제2전류를 생성하는 제2전류 생성부; 상기 제1전류에 K배수의 크기를 갖는 전류와 상기 제2전류에 M배수의 크기를 갖는 전류를 결합하여 온도 변동과 상관없이 예정된 크기를 갖는 기준전류를 생성하고, 상기 제2전류에 상기 기준전류를 결합하여 상기 제3전류를 생성하기 위한 제3전류 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제2항에 있어서, 상기 제2전류 생성부는, 상기 제2저항의 저항값을 조절함으로써 상기 최저 임계 온도에서 상기 제2전류의 크기가 상기 제1전류의 크기와 동일해질 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제3항에 있어서, 상기 제3전류 생성부는, 상기 K배수 값과 상기 M배수 값을 조절하여 상기 기준전류의 크기를 조절함으로써 상기 최고 임계 온도에서 상기 제3전류의 크기가 상기 제1전류의 크기와 동일해질 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제1항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 변환부는, 예정된 주기마다 상기 디지털 코드를 피드백 입력받아 그 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기와 상기 제1전류의 크기를 비교하여 비교신호의 논리레벨을 결정하기 위한 전류량 비교부; 및 예정된 주기마다 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨 값에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 변동하기 위한 코드 변동부를 구비하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제5항에 있어서, 상기 전류량 비교부는, 전원전압단에서 제1비교대상노드로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 소싱시키고, 상기 제1비교대상노드에서 접지전압단으로 상기 제1전류를 싱킹시키기 위한 제1전류패스; 전원전압단에서 제2비교대상노드로 상기 제1전류를 소싱시키고, 상기 제2비교대상노드에서 접지전압단으로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 싱킹시키기 위한 제2전류패스; 및 예정된 주기마다 상기 제1비교대상노드의 전압레벨과 상기 제2비교대상노드의 전압레벨을 비교하여 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하기 위한 논리레벨 결정부를 구비하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제5항에 있어서, 상기 전류량 비교부는, 전원전압단에서 비교대상노드로 상기 제1전류를 소싱시키고, 상기 비교대상노드에서 접지전압단으로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 싱킹시키기 위한 비교전류패스; 및 설정된 논리결정레벨을 기준으로 예정된 주기마다 상기 비교대상노드의 전압레벨을 검출하여 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하기 위한 논리레벨 결정부를 구비하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제5항에 있어서, 상기 코드 변동부는, 시작신호에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 설정된 초기값으로 변동시킨 후 예정된 주기마다 상기 비교신호에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 변동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제5항에 있어서, 상기 코드 변동부는, 초기화 제어신호에 응답하여 초기화되고, 다수의 동작제어신호 및 상기 비교신호에 응답하여 상기 디지털 코드의 각각의 비트 값을 결정하는 다수의 비트 레지스터; 클록신호에 대응하는 주기마다 상기 비교신호를 입력받기 위한 비교신호 입력부; 상기 클록신호에 대응하는 주기마다 시작신호가 토글링하는 것에 응답하여 상기 초기화 제어신호와 상기 다수의 동작제어신호를 설정된 순서대로 토글링시키기 위한 레지스터 동작 제어부를 구비하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제9항에 있어서, 상기 다수의 비트 레지스터 각각은, 리셋 입력단을 통해 입력되는 상기 초기화 제어신호의 토글링에 응답하여 출력되는 상기 디지털 코드의 각각의 비트를 초기화시키고, 동작구간 제어 입력단을 통해 입력되는 각각의 동작제어신호가 활성화된 상태에서 비교신호 입력단을 통해 입력되는 상기 비교신호에 응답하여 출력되는 상기 디지털 코드의 각각의 비트 값을 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

제9항에 있어서, 상기 레지스터 동작 제어부는, 상기 시작신호가 토글링하는 것에 응답하여 상기 클록신호에 대응하는 시점에서 상기 초기화 제어신호를 토글링시키고, 상기 초기화 제어신호가 토글링하는 것에 응답하여 상기 클록신호에 대응하는 주기마다 상기 다수의 동작제어신호를 설정된 순서대로 토글링시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로.

온도 상승에 대응하여 포지티브 특성을 갖는 제1전류, 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최저 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제2전류, 및 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최고 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제3전류 - 상기 제2전류보다 예정된 크기만큼 큼 - 를 생성하는 단계; 및 상기 제1전류의 크기에 대응하는 디지털 코드 값을 온도정보로서 출력하는 단계를 포함하며, 상기 온도 정보로서 출력하는 단계는, 예정된 주기마다 상기 디지털 코드를 피드백 입력받아 그 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기와 상기 제1전류의 크기를 비교하여 비교신호의 논리레벨을 결정하는 단계; 및 예정된 주기마다 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨 값에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제12항에 있어서, 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하는 단계는, 전원전압단에서 비교대상노드로 상기 제1전류를 소싱시키는 단계; 상기 비교대상노드에서 접지전압단으로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 싱킹시키는 단계; 및 설정된 논리결정레벨을 기준으로 예정된 주기마다 상기 비교대상노드의 전압레벨을 검출하여 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제13항에 있어서, 상기 논리결정레벨을 기준으로 상기 비교대상노드의 전압레벨을 검출하는 단계는, 상기 논리결정레벨보다 상기 비교대상노드의 전압레벨이 더 높은 경우 로직'로우'(Low)레벨을 갖는 상기 비교신호를 출력하는 단계; 및 상기 논리결정레벨보다 상기 비교대상노드의 전압레벨이 더 낮은 경우 로직'하이'(High)레벨을 갖는 상기 비교신호를 출력하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제14항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 단계는, 시작신호에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 설정된 초기값으로 변동시키는 단계; 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨이 로직'하이'(High)인 경우, 상기 디지털 코드의 값을 설정된 비율로 하강시키는 단계; 및 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨이 로직'로우'(Low)인 경우, 상기 디지털 코드의 값을 설정된 비율로 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제15항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값이 상승하는 경우, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 비교대상노드의 전압레벨이 상승하며, 상기 디지털 코드의 값이 하강하는 경우, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 비교대상노드의 전압레벨이 하강하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제16항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 단계는, 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 예정된 주기마다 반복적으로 인가되는 상기 비교신호에 각각 응답하여 상기 디지털 코드의 상위비트부터 그 값을 변동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제17항에 있어서, 상기 디지털 코드의 상위비트가 변동하여 그 값이 상승하는 경우, 상기 디지털 코드의 하위비트가 변동하여 그 값이 상승하는 경우보다 더 큰 단위로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 비교대상노드의 전압레벨이 상승하며, 상기 디지털 코드의 하위비트가 변동하여 그 값이 하강하는 경우, 상기 디지털 코드의 상위비트가 변동하여 그 값이 하강하는 경우보다 더 작은 단위로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 비교대상노드의 전압레벨이 하강하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제12항에 있어서, 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하는 단계는, 전원전압단에서 제1비교대상노드로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 소싱시키는 단계; 상기 제1비교대상노드에서 접지전압단으로 상기 제1전류를 싱킹시키는 단계; 전원전압단에서 제2비교대상노드로 상기 제1전류를 소싱시키는 단계; 상기 제2비교대상노드에서 접지전압단으로 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류를 싱킹시키는 단계; 및 예정된 주기마다 상기 제1비교대상노드의 전압레벨과 상기 제2비교대상노드의 전압레벨을 비교하여 상기 비교신호의 논리레벨을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제19항에 있어서, 상기 제1비교대상노드의 전압레벨과 상기 제2비교대상노드의 전압레벨을 비교하는 단계는, 상기 제1비교대상노드의 전압레벨보다 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 더 높은 경우 로직'로우'(Low)레벨을 갖는 상기 비교신호를 출력하는 단계; 및 상기 제1비교대상노드의 전압레벨보다 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 더 낮은 경우 로직'하이'(High)레벨을 갖는 상기 비교신호를 출력하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제20항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 단계는, 시작신호에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 설정된 초기값으로 변동시키는 단계; 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨이 로직'하이'(High)인 경우, 상기 디지털 코드의 값을 설정된 비율로 하강시키는 단계; 및 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 상기 비교신호를 입력받아 그 논리레벨이 로직'로우'(Low)인 경우, 상기 디지털 코드의 값을 설정된 비율로 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제21항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값이 상승하는 경우, 상기 제1비교대상노드의 전압레벨이 하강하고, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 상승하며, 상기 디지털 코드의 값이 하강하는 경우, 상기 제1비교대상노드의 전압레벨이 상승하고, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 하강하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제22항에 있어서, 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 단계는, 상기 디지털 코드의 값이 초기화된 이후 예정된 주기마다 반복적으로 인가되는 상기 비교신호에 각각 응답하여 상기 디지털 코드의 상위비트부터 그 값을 변동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.

제23항에 있어서, 상기 디지털 코드의 상위비트가 변동하여 그 값이 상승하는 경우, 상기 디지털 코드의 하위비트가 변동하여 그 값이 상승하는 경우보다 더 큰 단위로 상기 제1비교대상노드의 전압레벨이 하강하고, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 상승하며, 상기 디지털 코드의 하위비트가 변동하여 그 값이 하강하는 경우, 상기 디지털 코드의 상위비트가 변동하여 그 값이 하강하는 경우보다 더 작은 단위로 상기 제1비교대상노드의 전압레벨이 상승하고, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 상기 제3전류를 합한 전류의 크기 및 상기 제2비교대상노드의 전압레벨이 하강하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력방법.