제1 전극;상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 복수 개의 발광구조들; 및상기 발광구조들 사이에 배치되고, 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 전하생성층을 포함하고,상기 발광구조들 각각은 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,상기 발광층은 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나, 및 발광층 호스트를 포함하는 발광 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,L1은 직접결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 60 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 60 이하의 헤테로아릴렌기이고,Ar1은 하기 화학식 3으로 표시되거나, 또는 치환 또는 비치환된 파이렌기이고,Ar1이 치환 또는 비치환된 파이렌기일 때 L1은 치환 또는 비치환된 2가의 비페닐기이다.[화학식 3]상기 화학식 3에서 m은 1 이상 5 이하의 정수이고,Ra는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 16 이하의 아릴기이고,Ra 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기이다.