대상 다이와 참조 다이를 포함하는 웨이퍼를 준비하는 것;광학 검사 시스템을 이용하여 상기 대상 다이의 제1 영역의 후보 이미지를 획득하는 것;상기 광학 검사 시스템을 이용하여 상기 참조 다이의 제2 영역의 참조 이미지를 획득하는 것, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역에 대응하고;상기 후보 이미지 및 상기 참조 이미지 각각에 초해상도 이미징을 수행하여, 픽셀을 서브 픽셀들로 세분화하는 것;상기 참조 이미지를 상기 서브 픽셀의 단위로 시프트하는 것;상기 후보 이미지와 상기 참조 이미지간의 차이를 통해 차이 이미지를 획득하는 것; 및상기 차이 이미지에서 문턱값을 넘는 결함 신호를 검출하는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 방법.

제1항에 있어서,상기 초해상도 이미징은 고속 퓨리에 변환(Fast Fourier Transform)을 이용해 수행되는 반도체 웨이퍼 검사 방법.

제1항에 있어서,상기 차이 이미지를 획득하는 것은:상기 참조 이미지의 시프트된 변위를 변경해가며 복수개의 시프트된 참조 이미지들을 생성하는 것; 및상기 시프트된 참조 이미지들을 상기 후보 이미지와 비교하여, 변화가 가장 작은 상태의 차이 이미지를 최적의 차이 이미지로 선정하는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 방법.

제1항에 있어서,각각의 상기 후보 이미지 및 상기 참조 이미지는 회색조(Grayscale)의 광학 이미지인 반도체 웨이퍼 검사 방법.

제1항에 있어서,상기 초해상도 이미징을 통해 하나의 상기 픽셀로부터 n × m의 상기 서브 픽셀들이 생성되고,n 및 m 각각은 2 내지 20 사이의 정수인 반도체 웨이퍼 검사 방법.

제1항에 있어서,상기 후보 이미지는 제1 패턴 이미지 및 결함 이미지를 포함하고,상기 참조 이미지는 제2 패턴 이미지를 포함하며,상기 차이 이미지는 상기 결함 이미지를 포함하고,상기 결함 신호는 상기 결함 이미지로부터 생성되는 반도체 웨이퍼 검사 방법.