메모리 장치에 있어서:외부의 메모리 컨트롤러와 연결되도록 구성되는 데이터 패드들;외부 저항과 연결되도록 구성되는 지큐(ZQ) 패드;상기 데이터 패드들에 연결되고, 그리고 상기 데이터 패드들로 제1 데이터 신호들을 출력하거나 상기 데이터 패드들로부터 제2 데이터 신호들을 수신하도록 구성되는 데이터 구동 및 수신기들; 그리고상기 지큐 패드에 연결되고, 상기 지큐 패드의 전압에 기반하여 지큐 칼리브레이션(ZQ calibration)을 수행하고, 상기 지큐 칼리브레이션의 결과로 지큐 코드들을 생성하고, 그리고 상기 지큐 코드들을 상기 데이터 구동 및 수신기들로 제공하도록 구성되는 지큐 칼리브레이터를 포함하고,상기 지큐 칼리브레이터는 상기 외부의 메모리 컨트롤러의 명령에 응답하여 제1 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하고, 그리고 상기 외부의 메모리 컨트롤러의 명령 없이 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되고,상기 메모리 장치는 상기 외부의 메모리 컨트롤러에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 지원하는지를 가리키는 정보를 제공하도록 구성되고, 그리고상기 메모리 장치는 상기 외부의 메모리 장치의 요청에 응답하여 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 활성화 또는 비활성화 하도록 구성되는 메모리 장치.

제1항에 있어서,특정한 명령이 수신되는 횟수를 카운트하도록 구성되는 카운터; 그리고문턱값을 저장하도록 구성되는 레지스터를 더 포함하고,상기 카운터의 카운트 값이 상기 문턱값에 도달하는 것에 응답하여, 상기 지큐 칼리브레이터는 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되는 메모리 장치.

제2항에 있어서,상기 특정한 명령은 읽기 명령, 쓰기 명령, 소거 명령, 프리차지 명령, 그리고 리프레시 명령 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 장치.

제2항에 있어서,상기 카운터의 카운트 값이 상기 문턱값에 도달한 때에 상기 지큐 패드의 전압이 기준 전압보다 높으면, 상기 지큐 칼리브레이터는 상기 특정한 명령이 다시 수신되는 것에 응답하여 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되는 메모리 장치.

제2항에 있어서,상기 카운터의 카운트 값이 상기 문턱값에 도달한 때에 임의의 명령이 수신되면, 우선순위에 기반하여 상기 임의의 명령 및 상기 지큐 칼리브레이션의 수행 순서를 선택하도록 구성되는 메모리 장치.

제1항에 있어서,시간을 카운트하도록 구성되는 카운터; 그리고문턱값을 저장하도록 구성되는 레지스터를 더 포함하고,상기 카운터의 카운트 값이 상기 문턱값에 도달하는 것에 응답하여, 상기 지큐 칼리브레이터는 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되는 메모리 장치.

제6항에 있어서,상기 카운터의 카운트 값이 상기 문턱값에 도달한 때에 상기 지큐 패드의 전압이 기준 전압보다 높으면, 상기 지큐 칼리브레이터는 대기 시간 동안 대기한 후에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되는 메모리 장치.

제1항에 있어서,온도를 감지하도록 구성되는 온도 센서;상기 온도 센서에 의해 감지된 온도가 제1 문턱값보다 높은 동안 시간을 카운트하도록 구성되는 카운터; 그리고제2 문턱값을 저장하도록 구성되는 레지스터를 더 포함하고,상기 카운터의 카운트 값이 상기 제2 문턱값에 도달하는 것에 응답하여, 상기 지큐 칼리브레이터는 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되는 메모리 장치.

제1항에 있어서,상기 외부의 메모리 컨트롤러의 명령은 상기 데이터 패드들을 통해 수신되는 메모리 장치.

제1항에 있어서,명령 및 주소 패드들을 더 포함하고,상기 외부의 메모리 컨트롤러의 명령은 상기 명령 및 주소 패드들을 통해 수신되는 메모리 장치.

복수의 메모리 장치들; 그리고상기 복수의 메모리 장치들을 제어하도록 구성되는 메모리 컨트롤러를 포함하고,상기 복수의 메모리 장치들의 각각은 상기 메모리 컨트롤러의 명령에 응답하여 제1 타입의 지큐 칼리브레이션(ZQ calibration)을 수행하고, 그리고 상기 메모리 컨트롤러의 명령 없이 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하도록 구성되고, 그리고상기 제1 타입의 지큐 칼리브레이션 및 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션은 상기 복수의 메모리 장치들의 각각이 데이터 패드들을 통해 상기 메모리 컨트롤러로 데이터 신호들을 전송하는 드라이버들을 교정하고,상기 복수의 메모리 장치들의 각각은 상기 메모리 컨트롤러에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 지원하는지를 가리키는 정보를 제공하도록 구성되고, 그리고상기 메모리 컨트롤러는 상기 복수의 메모리 장치들의 각각의 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 활성화 또는 비활성화 하도록 구성되는 메모리 시스템.

제11항에 있어서,상기 복수의 메모리 장치들의 각각에서 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션이 활성화 되었을 때와 비활성화 되었을 때에, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 제1 타입의 지큐 칼리브레이션을 요구하는 상기 명령을 상기 복수의 메모리 장치들에 전송하는 정책을 다르게 조절하는 메모리 시스템.

제11항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 복수의 메모리 장치들의 각각이 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 트리거하는 트리거 조건을 설정하도록 구성되는 메모리 시스템.

제13항에 있어서,상기 트리거 조건은 상기 제1 타입의 지큐 칼리브레이션과 무관한 특정한 명령이 수신되는 횟수, 정해진 제1 시간의 경과, 그리고 문턱값보다 높거나 낮은 온도에서 정해진 제2 시간의 경과 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 시스템.

제11항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 복수의 메모리 장치들 중 둘 이상의 메모리 장치들이 동시에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하는 충돌에 대한 충돌 정책을 설정하도록 구성되는 메모리 시스템.

제15항에 있어서,상기 충돌 정책은 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 연기하고 그리고 상기 제1 타입의 지큐 칼리브레이션과 무관한 특정한 명령이 수신된 후에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 다시 시도하는 것, 그리고 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 연기하고 그리고 정해진 시간이 경과한 후에 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 다시 시도하는 것 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 시스템.

제16항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 복수의 메모리 장치들의 각각에 대해 상기 정해진 시간을 서로 다르게 설정하도록 구성되는 메모리 시스템.

제16항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 연기된 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 다시 시도하는 것, 그리고 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션이 연기된 후에 상기 메모리 컨트롤러로부터 전달된 명령을 수행하는 것의 우선순위를 상기 복수의 메모리 장치들의 각각에 대해 설정하도록 구성되는 메모리 시스템.

메모리 장치의 동작 방법에 있어서:상기 메모리 장치가 외부의 메모리 컨트롤러에 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 지원하는지를 가리키는 정보를 제공하는 단계;상기 외부의 메모리 컨트롤러의 요청에 응답하여 상기 메모리 장치가 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 활성화 또는 비활성화 하는 단계;상기 메모리 장치가 상기 외부의 메모리 컨트롤러로부터 명령을 수신하는 단계;상기 명령에 응답하여, 상기 메모리 장치가 제1 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하는 단계; 그리고상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션이 활성화된 때에, 상기 외부의 메모리 컨트롤러로부터의 상기 명령 없이, 내부적으로 관리되는 카운트가 문턱값에 도달하는 것에 응답하여, 상기 메모리 장치가 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션을 수행하는 단계를 포함하고,상기 제1 타입의 지큐 칼리브레이션 및 상기 제2 타입의 지큐 칼리브레이션은 상기 메모리 장치가 상기 외부의 메모리 컨트롤러로 데이터 신호들을 전송하는 드라이버들을 교정하는 동작 방법.

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