전이금속에 의해 결정화 유도된 다결정질 금속 산화물 채널층을 구비하는 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자
THIN FILM TRANSISTOR AND VERTICAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING TRANSITION METAL-INDUCED POLYCRYSTALLINE METAL OXIDE CHANNEL LAYER
특허 요약
수직형 비휘발성 메모리 소자와 박막트랜지스터를 제공한다.상기 수직형 비휘발성 메모리 소자는 기판과 상기 기판 상부 방향으로 연장되는 절연 기둥을 구비한다. 상기 절연 기둥의 측부에 교호적으로 적층된 층간 절연막들과 제어 게이트 패턴들이 배치된다. 상기 절연 기둥과 상기 제어 게이트 패턴들 사이에서, 상기 절연 기둥을 따라 연장하는 다결정질 금속 산화물 채널층이 상기 절연 기둥 상에 적층된다. 상기 다결정질 금속 산화물 채널층과 상기 각 제어 게이트 패턴 사이에 터널 절연막, 전하 포획층, 및 블로킹 절연막이 차례로 배치된다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 기판;상기 기판의 상부 방향으로 연장되는 절연 기둥;상기 절연 기둥의 측부에 배치되고 교호적으로 적층된 층간 절연막들과 제어 게이트 패턴들;상기 절연 기둥과 상기 제어 게이트 패턴들 사이에서 상기 절연 기둥 상에 적층되고, 상기 절연 기둥을 따라 연장하는 다결정질 금속 산화물 채널층; 상기 다결정질 금속 산화물 채널층과 상기 각 제어 게이트 패턴 사이에 차례로 배치된 터널 절연막, 전하 포획층, 및 블로킹 절연막; 및상기 절연 기둥과 상기 다결정질 금속 산화물 채널층 사이에서 상기 절연 기둥 상에 적층되고, 상기 절연 기둥을 따라 연장하는 산화 또는 산질화된 전이금속층을 포함하는 수직형 비휘발성 메모리 소자. |
