제 20 항에 있어서,전도성 기판; 및상기 기판상에 배열된 복수의 다층금속나노튜브;를 포함하는 음극.

제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판 상에 이격되어 배열된 음극.

제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 배향된 음극.

제 21 항에 있어서, 상기 다층금속나노튜브가 기판에 대하여 수직 방향으로 배향된 음극.

제 1 항에 있어서, 상기 내층과 외층 사이에 하나 이상의 층을 추가적으로 포함하는 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 벽 두께(wall thickness)가 10nm 내지 200nm인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 내층의 두께가 5nm 내지 100nm인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 외층의 두께가 5nm 내지 100nm인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 외경이 30nm 내지 400nm인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 내경이 20nm 내지 200nm인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 길이가 1㎛ 내지 50㎛인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 금속나노튜브의 일말단이 밀폐된 음극활물질.

제 1 항 내지 제 4 항 및 제 8 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 음극활물질을 포함하는 음극.

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 리튬 이온의 확산계수(diffusivity)가 높은 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 충전시의 부피 팽창율이 낮은 음극활물질.

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제 1 항에 있어서, 상기 외층이 상기 제 1 금속과 제 2 금속의 복합체를 포함하는 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 내층이 결정성(crystalline)이고 상기 외층이 비정질(amorphous)인 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 내층 및 외층 중 하나 이상이 도판트를 추가적으로 포함하는 음극활물질.

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속이 제 1 금속에 비하여 비저항(resistivity)이 낮은 음극활물질.

제 10 항에 있어서, 상기 도판트가 3B족 또는 5B족 원소인 음극활물질.

금속나노튜브의 내표면(inner surface)을 포함하는 내층; 및금속나노튜브의 외표면(outer surface)을 포함하는 외층을 포함하며,상기 내층이 원자번호 13 이상인 제 1 금속을 포함하며,상기 외층이 상기 제 1 금속과 다른 제 2 금속을 포함하며,상기 제 1 금속이 4B족 금속이며,상기 제 2 금속이 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 다층금속나노튜브를 포함하는 음극활물질.

제 21 항에 있어서, 상기 전도성 기판이 스테인레스 스틸, 구리, 철, 니켈, 알루미늄 및 코발트로 이루어진 군에서 선택된 하나인 음극.

제 21 항에 따른 음극을 채용한 리튬전지.

전도성 기판 상에 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 금속산화물 나노막대를 성장시키는 단계;상기 금속산화물 나노막대 상에 제 1 금속층을 코팅하는 단계;상기 제 1 금속층이 코팅된 금속산화물 나노막대를 열처리하여 금속산화물 나노막대를 선택적으로 제거함에 의하여 제 1 금속나노튜브를 제조하는 단계; 및상기 제 1 금속나노튜브 상에 제 2 금속층을 코팅하여 다층금속나노튜브를 제조하는 단계;를 포함하는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물이 ZnO, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2 및 MgO 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 제 1 금속층이 실리콘, 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속층이 게르마늄, 안티몬, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 제 1 금속층은 제 1 금속 전구체 가스를 상기 금속산화물 나노막대와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극활물질 제조방법.

제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스가 SiH4, SiCl4, GeH4, GeF4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 음극활물질 제조방법.

제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극활물질 제조방법.

제 31 항에 있어서, 상기 제 1 금속 전구체 가스와 상기 금속산화물 나노막대의 접촉이 200 내지 800℃의 온도에서 1 내지 1000분 동안 수행되는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노막대의 선택적 제거가 수소, 아르곤, 질소, 네온, 헬륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 분위기에서 수행되는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노막대의 선택적 제거가 200℃ 이상의 온도에서 수행되는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 제 2 금속전구체 가스를 제 1 금속나노튜브와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극활물질 제조방법.

제 37 항에 있어서, 상기 제 2 금속 전구체 가스가 SiH4, SiCl4, GeH4, GeF4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 음극활물질 제조방법.

제 37 항에 있어서, 상기 제 2 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극활물질 제조방법.

제 27 항에 있어서, 상기 제 2 금속 전구체 가스와 상기 제 1 금속나노튜브의 접촉이 200 내지 800℃의 온도에서 1 내지 1000분 동안 수행되는 음극활물질 제조방법.