| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 8 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 외경이 100nm 내지 300nm인 음극. |
| 9 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 내경이 20nm 내지 200nm인 음극. |
| 10 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 말단의 개구부 직경이 상기 나노튜브 내경의 0.5 내지 1배인 음극. |
| 11 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 표면에 수소가 공유결합된 음극. |
| 1 | 전도성 기판; 및상기 기판상에 이격되어 배열된 복수의 나노튜브;를 포함하며,상기 나노튜브의 말단이 개구되며,상기 나노튜브가 금속나노튜브 또는 준금속나노튜브이며,상기 나노튜브가 기판의 표면으로부터 수직 방향으로 배향되는 음극. |
| 2 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브가 실리콘, 게르마늄, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소를 포함하는 음극. |
| 3 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브가 도판트를 추가적으로 포함하는 음극. |
| 4 | 제 3 항에 있어서, 상기 도판트가 13족 또는 15족 원소인 음극. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 길이가 5 초과 내지 30㎛인 음극. |
| 7 | 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 길이의 최대값 및 상기 기판의 면적에 의하여 정의되는 부피 중에서, 상기 나노튜브에 의하여 점유되는 부피가 50% 초과인 음극. |
| 12 | 양극;제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 개재된 전해질을 포함하는 리튬전지. |
| 13 | 전도성 기판 상에 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 나노막대를 형성시키는 단계;상기 나노막대 상에 금속 또는 준금속을 포함하는 코팅층을 형성하여 결과물을 얻는 단계;상기 결과물을 열처리하여 나노막대를 선택적으로 제거하여 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 나노튜브의 말단을 개구시키는 단계;를 포함하는 음극 제조방법. |
| 14 | 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 실리콘, 게르마늄, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소를 포함하는 음극 제조방법. |
| 15 | 제 13 항에 있어서, 상기 나노막대가 금속산화물인 음극 제조방법. |
| 16 | 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 도판트를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법. |
| 17 | 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 금속 또는 준금속 전구체 가스를 상기 나노막대와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극 제조방법. |
| 18 | 제 17 항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법. |
| 19 | 제 13 항에 있어서, 상기 나노튜브의 일말단을 개구시키는 단계가 상기 나노튜브를 건식 식각하는 단계를 포함하는 음극제조방법. |
| 20 | 제 19 항에 있어서, 상기 건식 식각에 사용되는 기체가Ar; 및Cl2, SF6, 및 CF4로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 기체;인 음극 제조방법. |
| 21 | 제 19 항에 있어서, 상기 건식 식각 단계 후에 상기 나노튜브를 습식 식각하는 단계;를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법. |
| 22 | 제 21 항에 있어서, 상기 습식 식각에 사용되는 식각액이 HF-NH4F 식각액, 및 HF-P2O5식각액 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극 제조방법. |
| 23 | 제 13 항에 있어서, 상기 나노튜브의 일말단을 개구시키는 단계 후에 상기 개구된 나노튜브를 환원성 분위기에서 열처리하는 단계;를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법. |
| 24 | 제 23 항에 있어서, 상기 열처리 온도가 200 내지 700℃인 음극 제조방법. |
| 25 | 제 23 항에 있어서, 상기 환원성 분위기에 사용되는 기체가 수소, Ar, He 및 CO2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극 제조방법. |
