미래와환경이엔지
반도체 세정폐수 중의 고농도 질소제거를 위한 최적 공정
OPTIMUM PROCESS FOR NITROGEN REMOVAL IN SEMICONDUCTOR RINSING WASTE WATER
특허 요약
본 발명은 반도체 세정폐수 중의 질소제거를 위한 최적 공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 세정폐수 중, 처리대상 물질인 SC-1(Standard Clean 1)계 폐수의 주요 구성 성분인 NH 4 OH, H 2 O 2 , Citric Acid의 효율적인 처리공정에 관한 것이다. SC-1(Standard Clean 1)계 폐수는 DI(deionized water): NH 4 OH : H 2 O 2 = 13: 1: 1의 비율로 혼합된 친수성 물질이라서 화학적으로 분리가 불가능하다. 이중 NH 4 OH는 T-N의 절대적 원인물질로서 이 T-N의 근본적인 제거를 위해서는 NH 4 + → NH 3 → NO 3 _ → NO 2 _ , NO - → N 2 의 과정을 거쳐 제거되며, 본 발명은 반도체 세정폐수 중의 질소제거를 처리함에 있어, 폭기조 내의 MLSS(mixed liquer suspended solid ) 농도를 제어함에 따라 T-N의 제거량을 관리할 수 있는 것에 착안하여, MLSS 농도의 매개변수인 반도체 세정폐수의 유입량, 반송오니의 SS 농도, 유입수의 SS 농도 및 반송 오니량 중, 제어 가능한 Factor를 결정하여 최적 MLSS 농도를 지속적으로 유지해서, 반도체 세정폐수 중의 질소 제거를 위한 최적 공정 개발을 목적으로 한다...(이하생략)
청구항
번호청구항
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제 1항에 있어서;반도체 세정폐수의 유입량(Q) 30m3/d, 유입수의 SS농도(S) 700ppm, 반송 오니의 SS농도(R) 20,500±500ppm의 침전 슬러지 15∼20m3/d을 무산소조로 반송시키며, 폭기조 내의 MLSS 농도는 3,500±50ppm을 유지하도록 Qr과 R을 적정 반송시키는 단계.

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고농도 질소를 함유한 반도체 세정폐수를 고효율 처리하고자, 무산소조를 설치하고, 폭기조와 침전조와의 반송라인을 구축하여 MLSS농도를 3,500±50ppm을 유지하는 단계와;