제1항에서,상기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf은 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 또는 n-부틸기인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서,상기 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 메틸렌기, 치환 또는 비치환된 에틸렌기 또는 치환 또는 비치환된 프로필렌기인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

하기 화학식 1로 표시되는 유기 주석 화합물; 및용매를 포함하는 반도체 포토레지스트용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,X1 내지 X6은 각각 O이고,L1 내지 L3은 각각 독립적으로 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf은 각각 독립적으로 할로겐 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이며,R4는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 분지형 알킬기이다.

제1항에서,상기 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서, 상기 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, iso-프로필기, iso-부틸기, iso-펜틸기, iso-헥실기, iso-헵틸기, iso-옥틸기, iso-노닐기, iso-데실기, sec-부틸기, sec-펜틸기, sec-헥실기, sec-헵틸기, sec-옥틸기, tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헥실기, tert-헵틸기, tert-옥틸기, tert-노닐기, 또는 tert-데실기인 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서, 상기 R4는 iso-프로필기, iso-부틸기, iso-펜틸기, iso-헥실기, iso-헵틸기, iso-옥틸기, iso-노닐기, iso-데실기, sec-부틸기, sec-펜틸기, sec-헥실기, sec-헵틸기, sec-옥틸기, tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헥실기, tert-헵틸기, tert-옥틸기, tert-노닐기, 또는 tert-데실기인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서,상기 용매는 알콜류를 포함하는 것인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

제7항에서, 상기 알콜류는 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-2-프로판올, 1-부탄올, 메탄올, 이소프로필 알콜, 1-프로판올 또는 이들의 조합 중 선택되는 1종인, 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서, 반도체 포토레지스트용 조성물 100 중량%를 기준으로, 상기 유기 주석 화합물은 1 중량% 내지 30 중량%인 반도체 포토레지스트용 조성물.

제1항에서, 상기 반도체 포토레지스트용 조성물은 계면활성제, 가교제, 레벨링제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 반도체 포토레지스트용 조성물.

기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계;상기 식각 대상 막 위에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 반도체 포토레지스트용 조성물을 적용하여 포토 레지스트 막을 형성하는 단계;상기 포토 레지스트 막을 패터닝하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.

제11항에서, 상기 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 5 nm 내지 150 nm 파장의 광을 사용하는 패턴 형성 방법.

제11항에서,상기 기판과 상기 포토 레지스트 막 사이에 형성되는 레지스트 하층막을 제공하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.

제11항에서,상기 포토 레지스트 패턴은 5 nm 내지 100 nm의 폭을 가지는 패턴 형성 방법.