| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 플렉서블 기재;상기 플렉서블 기재 상에 형성되며 개구부를 가지는 하부전극;상기 하부전극 상에 형성되는 반도체층;상기 반도체층 상에 형성되며 개구부를 가지는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 그래핀(graphene) 층을 포함하며, 상기 절연층이 가지는 개구부를 통하여 상기 반도체층 및 상기 그래핀층은 서로 접촉되어 PN 접합층을 형성하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 16 항에 있어서,상기 절연층 및 상기 그래핀층 사이에 형성되는 상부전극을 더 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 기재는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone; PES), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리노르보넨(polynorbonene; PN), 폴리아릴레이트(polyarylate), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 16 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 화합물 반도체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 19 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 16 항에 있어서,상기 반도체층은 화합물 반도체와 금속을 포함하는 복합체를 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 21 항에 있어서,상기 금속은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 태양전지는 투명 또는 반투명한 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 플렉서블 기재 상에 개구부를 가지는 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 개구부를 가지는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 하부전극 및 상기 절연층이 가지는 개구부들을 통하여 상기 반도체층 및 상기 그래핀층은 서로 접촉되어 PN 접합층을 형성하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 24 항에 있어서,상기 절연층과 상기 그래핀층 사이에 상부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 24 항에 있어서,상기 플렉서블 기재는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone; PES), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리노르보넨(polynorbonene; PN), 폴리아릴레이트(polyarylate), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 24 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 화합물 반도체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 27 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 24 항에 있어서,상기 반도체층은 화합물 반도체와 금속을 포함하는 복합체를 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 29 항에 있어서,상기 금속은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 플렉서블 기재;상기 플렉서블 기재 상에 형성되는 반도체층;상기 반도체층 상에 형성되며 개구부(opening part)를 가지는 하부전극;상기 하부전극 상에 형성되며 개구부를 가지는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되는 그래핀(graphene) 층을 포함하며, 상기 하부전극 및 상기 절연층이 가지는 개구부들을 통하여 상기 반도체층 및 상기 그래핀층은 서로 접촉되어 PN 접합층을 형성하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 1 항에 있어서,상기 절연층 및 상기 그래핀층 사이에 형성되며 개구부를 가지는 상부전극을 더 포함하는, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 기재는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone; PES), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리노르보넨(polynorbonene; PN), 폴리아릴레이트(polyarylate), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 화합물 반도체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 4 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 화합물 반도체와 금속을 포함하는 복합체를 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 6 항에 있어서,상기 금속은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 태양전지는 투명 또는 반투명한 것인, 플렉서블 태양전지. |
| 1 | 플렉서블 기재 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 개구부를 가지는 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 개구부를 가지는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 하부전극 및 상기 절연층이 가지는 개구부들을 통하여 상기 반도체층 및 상기 그래핀층은 서로 접촉되어 PN 접합층을 형성하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 9 항에 있어서,상기 그래핀층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 9 항에 있어서,상기 플렉서블 기재는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthelate; PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone; PES), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리노르보넨(polynorbonene; PN), 폴리아릴레이트(polyarylate), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 9 항에 있어서,상기 반도체층은 비정질 실리콘, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 화합물 반도체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 12 항에 있어서,상기 화합물 반도체는 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족, 및 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 9 항에 있어서,상기 반도체층은 화합물 반도체와 금속을 포함하는 복합체를 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
| 1 | 제 14 항에 있어서,상기 금속은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Fe, Co, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 플렉서블 태양전지의 제조방법. |
