제1항에 있어서,상기 제2희생층은 Si3N4, SiGe 또는 이들의 조합인 탄소나노튜브 수평성장방법.

평행하게 배열된 다수의 배선을 포함하며, 상기 배선은 제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항을 이용하여 수평성장된 탄소나노튜브로 형성된 것인 수평배선.

제9항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 다중벽(Multi-wall)인 수평배선.

제9항에 있어서,상기 배선은 그 폭이 1nm 내지 10㎛인 수평배선.

제9항에 있어서,상기 배선은 그 높이가 1nm 내지 1㎛ 인 수평배선.

제9항에 있어서,상기 배선은 그 간격이 1nm 내지 1mm 인 수평배선.

(가)기판상에 탄소나노튜브를 성장시키기 위한 촉매 도트를 형성하는 단계;(나)상기 촉매 도트가 형성된 영역을 포함하는 다수의 나노 채널을 포함하는 희생층을 형성하는 단계; 및(다)상기 나노 채널을 통해 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하고,상기 (나) 단계는,상기 촉매 도트가 형성된 영역을 포함하는 다수의 나노 채널을 형성하기 위해 제1희생층을 형성하는 단계;상기 제1희생층 상부에 제2희생층을 형성하는 단계; 및 상기 제1희생층을 제거하여 나노 채널을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 수평성장방법.

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제1항에 있어서,상기 제2희생층을 형성하는 단계 후에 제2희생층을 패터닝하는 단계를 추가로 포함하는 탄소나노튜브 수평성장방법.

제1항에 있어서,상기 (다) 단계는 화학기상증착법, 열 화학기상증착법, 플라즈마 화학기상증착법, 촉매열분해법 또는 핫-필라멘트 기상 증착법에 의해 수행되는 탄소나노튜브 수평성장방법.

제1항에 있어서, 상기 (다)단계 후에 상기 희생층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 탄소나노튜브 수평성장방법.

제1항에 있어서,상기 촉매 도트는 Ni, Co, Fe, Pd, Au 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상인 탄소나노튜브 수평성장방법.

제1항에 있어서,상기 제1희생층은 포토 레지스트 또는 이를 포함하는 유기물로 이루어지는 탄소나노튜브 수평성장방법.