400 내지 900 nm 크기의 파장을 가지는 LED 광원; 박막 또는 나노입자를 포함한 샘플을 고정하도록 형성된 지지체; 및 상기 샘플과 1 내지 10 mm 거리에 위치한 거울; 을 포함하며,상기 거울은 샘플을 통과한 광을 다시 샘플 측으로 반사시키는 것을 특징으로 하는, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서,상기 광원과 샘플 간의 거리가 1 내지 10 mm인, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서,상기 광원에 인가되는 주입 전류 및 노출 시간이 변경 가능한, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서, 상기 박막 또는 나노입자는 10 내지 1000 nm 크기인, 핵산 증폭 장치.

제4항에 있어서,상기 박막 또는 나노입자는 광밀도가 1 내지 20 OD인, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서,상기 거울은 샘플에서 지지체 방향의 반대 방향에 위치한, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서,상기 거울은 금 (Au), 은 (Ag), 알루미늄 (Al), 티타늄 (Ti), 크롬 (Cr), 텅스텐 (W) 또는 이들의 임의 조합물, 합금, 또는 다중 구조체를 포함하는 물질인, 핵산 증폭 장치.

제1항에 있어서,상기 핵산 증폭 장치는 샘플 내에서 핵산을 실시간으로 검출하기 위한 디지털 카메라; 포토다이오드; 또는 분광 광도계;를 더 포함하는, 핵산 증폭 장치.

제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 핵산 증폭 장치를 이용한, 핵산 증폭방법.

제9항에 있어서,상기 핵산 증폭 방법은,S1) 제1 기간 동안 샘플에 광을 조사하는 열변성 단계;S2) 상기 제1 기간에 이어지는 제2 기간 동안 상기 샘플에 대한 광조사를 정지하는 프라이머 결합 단계; 및S3) 상기 제2 기간에 이어지는 제3 기간 동안 다시 샘플에 광을 조사하는 중합반응 단계;를 포함하고,상기 S1) 내지 S3) 단계를 소정 횟수 반복하는 것인, 핵산 증폭 방법.

제9항에 있어서,상기 S1) 내지 S3) 단계를 20 내지 40회 반복하는, 핵산 증폭 방법.