제17항에 있어서,상기 유기박막트랜지스터가 탑게이트형, 바텀 게이트형, 탑 컨택트형 또는 바텀 컨택트형인 유기박막트랜지스터.

제17항에 있어서,p형 유기박막트랜지스터인 유기박막트랜지스터.

제17항에 있어서,양극성(ambibipolar) 유기박막트랜지스터인 유기박막트랜지스터.

제17항에 따른 유기박막트랜지스터를 포함하는 유기발광디스플레이장치.

플루오로기 및 클로로기 중 적어도 1종을 비대칭적인 말단기로 함유하는 곁사슬을 가진 유기 고분자 50 내지 70 부피부, 및 무정형 고분자 50 내지 30 부피부를 포함하는 고분자 혼합물; 및유기 용매;를 포함하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제17항에 있어서, 상기 게이트 전극이 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴 합금(Mo-alloy), PEDOT(폴리에틸렌디옥시티오펜)/PSS(폴리스피렌설포네이트) 혼합물 중 적어도 1종을 포함하는 유기박막트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 유기 고분자가 P(VDF-TrFE)(폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌)), P(VDF-TrFE-CFE)(폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌-클로로플루오로에틸렌)), P(VDF-TrFE-CDFE)(폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌-클로로디플루오로에틸렌)), P(VDF-TrFE-CTFE)(폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌)), 및 P(VDF-TrFE-HFP)(폴리(비닐리덴플루오라이드-트리플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌)) 중 적어도 1종을 포함하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물..

제1항에 있어서,상기 유기 고분자의 수평균분자량이 5,000 내지 1,000,000인 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제1항에 있어서,상기 유기 고분자가 P(VDF-TrFE)인 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제4항에 있어서,상기 고분자의 VDF 및 TrFE의 공중합 중량비가 55:45 내지 95:5인 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제1항에 있어서,상기 무정형 고분자가 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트), PS(폴리스티렌), PVP(폴리비닐피롤리돈) 및 PI(폴리이미드) 중 적어도 1종을 포함하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제1항에 있어서,상기 무정형 고분자의 수평균분자량이 10,000 내지 1,000,000인 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

제1항에 있어서,상기 유기 용매가 DMSO(디메틸 설폭사이드), MEK(메틸 에틸 케톤), 아세토니트릴 및 1-부타논 중 적어도 1종을 포함하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물.

유기반도체층 또는 게이트 전극 상부를 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유기절연막 조성물로 코팅하는 단계; 및상기 코팅에 의해 형성된 코팅막을 열처리하는 단계;를 포함하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막의 형성방법.

제9항에 있어서,상기 코팅은 스핀코팅, 딥코팅, 프린팅, 잉크젯 또는 롤 코팅 방법에 의해 수행하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막의 형성방법.

제9항에 있어서,상기 열처리는 150℃ 이하의 온도에서 수행하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막의 형성방법.

제9항에 있어서,상기 코팅은 스핀코팅 방법에 의해 수행하고, 상기 열처리는 70℃ 내지 100℃의 온도에서 1 내지 3시간 동안 수행하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막의 형성방법.

제9항에 있어서,상기 코팅 단계는 상기 유기반도체층 상부를 제1유기절연막 조성물로 코팅하는 단계, 형성된 코팅막 중 p형 유기반도체층 상부에 형성된 코팅막을 제거하는 단계 및 상기 p형 유기반도체층 상부를 제2유기절연막 조성물로 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 제2유기절연막 조성물은 상기 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막 조성물인 유기절연막의 형성방법.

제13항에 있어서,상기 코팅막 제거는 용매의 잉크젯 프린팅 방법에 의해 수행하는 강유전성을 갖지 않는 유기박막트랜지스터용 유기절연막의 형성방법.

제9항의 방법에 의해 형성되고,강유전성을 갖지 않으며,유기박막트랜지스터에서 Vd=±10V일 경우 전계효과 정공이동도(μFETh)가 0.09-0.105 cm2/(V・s)이고, 전계효과 전자이동도(μFETn)가 0.10~0.11 cm2/(V・s)인 유기절연막.

제15항에 있어서, 상기 유기절연막의 두께가 100㎚ 내지 400㎚인 유기절연막.

기판, 소스/드레인 전극, 유기반도체층, 제15항에 따른 유기절연막, 및 게이트 전극을 포함하는 유기박막트랜지스터.

제17항에 있어서,상기 기판이 유리, 실리콘, 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate) 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinoate) 및 금속포일 중 적어도 1종을 포함하는 유기박막트랜지스터.

제17항에 있어서,상기 소스/드레인 전극이 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 ITO(인듐주석산화물) 중 적어도 1종을 포함하는 유기박막트랜지스터.

제17항에 있어서, 상기 유기반도체층이 폴리티오펜, 티에노티오펜(thienothiophene), 트리이소프로필실릴 펜타센(triisopropylsilyl pentacene), 펜타센 전구체, 알파-6-티오펜, 폴리플루오렌, 펜타센, 테트라센, 안트라센, 페릴렌, 루브렌, 코로렌(coronene), 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide), 폴리파라페닐렌 비닐렌, 폴리티오펜비닐렌, 폴리티에닐렌비닐렌, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜, BTBT(벤조티에노[3,2-b] 벤조티오펜), P(NDI2OD-T2)(폴리{[N,N'-비스(2-옥틸도데실)-나프탈렌-1,4,5,8-비스(디카르복시이미드)-2,6-디일]-알트-5,5'-(2,2'-비티오펜)}), PC12TV12T(알킬 치환된 폴리티에닐렌비닐렌 및 도데실티오펜), 금속 함유 또는 미함유 프탈로시아닌, 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드, 및 이들의 유도체 중 적어도 1종을 포함하는 유기박막트랜지스터.