기판; 및상기 기판 상에 마련되는 구조체; 를 포함하고,상기 구조체는,상기 기판 상에 적층되어 형성되는 비트라인; 및상기 기판에 수직하고, 상기 비트라인을 관통하여 형성되는 워드라인; 을 포함하는, 메모리 소자.

제 1 항에 있어서,상기 구조체는,하나 또는 그 이상의 절연층 및 하나 또는 그 이상의 활성층이 교대로 적층되어 형성된 뒤 적어도 일부가 계단 형상으로 식각되어 형성되는,메모리 소자.

제 2 항에 있어서,상기 구조체는,상기 절연층을 지지하기 위하여 상기 기판 상에 수직하게 형성되고, 상기 구조체를 관통하여 형성되는 하나 또는 그 이상의 제 1 홀; 및상기 워드라인을 형성하기 위하여 상기 기판 상에 수직하게 형성되고, 상기 구조체를 관통하여 하나 또는 그 이상의 제 2 홀; 을 포함하는,메모리 소자.

제 3 항에 있어서,상기 제 2 홀은,상기 구조체의 상면에 있어서, 상기 절연층의 일 측이 폐쇄되고 상기 일 측과 마주하는 상기 절연층의 다른 일 측은 개방되는 'ㄷ' 형태로 형성되는,메모리 소자.

제 4 항에 있어서,상기 제 2 홀은,상기 구조체의 상면에 있어서, 상기 절연층의 일 측은 두께가 소정 두께 이상이 되도록 형성되는,메모리 소자.

기판 상에 위치하는 몰드로부터 비트라인 계단을 형성하는 단계;상기 비트라인 계단에 지지대를 형성하는 단계; 및상기 지지대가 형성된 비트라인 계단에 에칭을 수행하여 구조체를 형성하는 단계; 를 포함하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 몰드로부터 비트라인 계단을 형성하는 단계는,하나 또는 그 이상의 절연층 및 하나 또는 그 이상의 활성층을 교대로 적층하여 몰드를 형성하는 단계; 및상기 몰드의 적어도 일부를 계단 형상으로 제거하여 상기 비트라인 계단을 형성하는 단계; 를 포함하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 비트라인 계단에 지지대를 형성하는 단계는,상기 기판에 수직한 방향으로 하나 또는 그 이상의 제 1 홀을 형성하는 단계; 및상기 홀에 제 1 충진재를 충진하는 단계; 를 포함하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 8 항에 있어서,상기 하나 또는 그 이상의 제 1 홀이 복수 개인 경우에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 홀 사이의 간격은 상기 절연층의 두께와 비례하여 형성되는,메모리 소자의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 지지대가 형성된 비트라인 계단에 에칭을 수행하여 구조체를 형성하는 단계는,상기 기판에 수직한 방향으로 상기 비트라인 계단 상에 제 2 홀을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 제 2 홀은,상기 비트라인 계단의 상면에 있어서, 일 측이 폐쇄되고 상기 일 측과 마주하는 다른 일 측은 개방되는 'ㄷ' 형태로 형성되는,메모리 소자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서,상기 제 2 홀에 있어서, 폐쇄된 일 측의 두께가 소정 두께 이상이 되도록 상기 제 2 홀을 형성하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서,상기 지지대가 형성된 비트라인 계단에 에칭을 수행하여 구조체를 형성하는 단계는,상기 제 2 홀에 대해 제 2 충진재를 충진하여 워드라인(word line)을 형성하는 단계; 를 더 포함하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 메모리 소자의 제조 방법은,상기 구조체에 대해 채널 충진을 수행하는 단계;상기 채널 충진이 수행된 부분의 적어도 일부를 식각하는 단계; 및상기 적어도 일부가 식각된 구조체에 비트라인 충진 및 워드라인 충진을 수행하는 단계; 를 포함하는,메모리 소자의 제조 방법.

제 13 항에 있어서,상기 식각은, 상기 구조체에 형성되는 워드라인이 노출될 때까지 상기 채널 충진이 수행된 부분에 대해 수행되는,메모리 소자의 제조 방법.