A: 카드뮴 미리스트레이트(Cd Myristate), 셀레늄(Se) 및 전구체 용매를 혼합하여 혼합물을 생성하는 혼합물 생성 단계;B: 상기 혼합물에 카드뮴 아세테이트(Cd acetate)를 첨가하여 CdSe 씨드를 생성하는 CdSe 씨드 생성 단계; C: 상기 CdSe 씨드에 Se-전구체 용매를 첨가하여 상기 CdSe 씨드의 두께를 조절하는 두께 조절 단계 및D: 상기 (C) 단계 이후, 리간드를 첨가하여 두께 조절된 상기 CdSe 씨드를 분산하는 분산 단계를 포함하고,상기 (D) 단계는,D-1: (C) 단계 이후, 롱 체인 리간드를 첨가하여, 두께 조절된 상기 CdSe 씨드의 표면에 롱 체인 리간드를 형성하여 단계; 및D-2: (D-1) 단계 이후, 숏 체인 리간드를 첨가하여, CdSe 씨드의 표면에 형성된 상기 롱 체인 리간드 중 적어도 일부를 상기 숏 체인 리간드로 치환하는 단계;를 포함하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조방법.

삭제

제 1항에 있어서,상기 전구체는 ODE (1-Octadecene), TBP (Tributylphosphine), TPP (Thiamine pyrophosphate), OA (Oleic acid), TOA (Trioctylamine), ODPA (Octadecylphosphonic acid), TOP (Trioctylphosphine) 및 OLA (Oleyl amine) 중에서 적어도 하나를 포함하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 1항에 있어서,상기 롱 체인 리간드는 올레익산(oleic acid) 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 (Trioctylphosphine oxide)를 포함하고, 상기 숏 체인 리간드는 피리딘 (Pyridine)을 포함하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 1항에 있어서,상기 (A) 단계는,A-1: 용기에 상기 카드뮴 미리스트레이트, 셀레늄 및 전구체 용매를 첨가하고, 100℃ 내지 110℃에서 10분 내지 30분간 유지하여 불순물 및 수분을 제거하는 단계; 및A-2: 140℃ 내지 150℃로 승온하고, 상기 카드뮴 미리스트레이트, 셀레늄 및 전구체 용매를 10분 내지 30분간 교반하는 단계를 포함하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 1항에 있어서,E: 상기 (D) 단계 이후, 카드뮴 아세테이트(Cd Acetate), 황(S)-전구체 용매 및 전구체 용매를 혼합한 후, 이를 초음파 처리하여 CdS를 생성하는 CdS 생성 단계; 및F: 두께 조절된 상기 CdSe 씨드에 상기 CdS를 첨가하여, CdSe-core/CdS-Shell를 생성하는 CdSe-core/CdS-Shell 생성 단계를 더 포함하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 6항에 있어서,상기 (E) 단계에서, 초음파 처리는 2시간 내지 3시간 동안 수행되는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 6항에 있어서,상기 (F) 단계에서, 상기 CdSe 씨드는 전구체 용매에 혼합된 후 100℃ 내지 110℃에서 발생하는 가스가 제거된 후, 전구체 용매에 분산을 위해 200℃ 내지 240℃로 승온되는 열처리 공정을 수행하는 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

제 6항에 있어서,상기 (F) 단계에서, 상기 CdS의 첨가 속도는 5ml/h 내지 10ml/h인 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법.

기판;상기 기판 상부에 형성되는 제1 전극층;상기 제1 전극층 상부에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;상기 정공수송층 상부에 형성되고, 상기 기판을 투과한 방사선이 흡수되어 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층;상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층; 및상기 기판 하부에 형성되며, 상기 방사선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator); 을 포함하고,상기 활성층은 CdSe 나노플레이틀릿을 포함하고,상기 CdSe 나노플레이틀릿은 청구항 제1항, 제3항 내지 청구항 제9항 중 어느 한 항에 따른 CdSe 나노플레이틀릿 제조 방법으로 제조된 방사선 측정기.