X-선 검출기 및 그 제조방법
X-ray Detect and Method of Manufacturing the Same
특허 요약
X-선 검출기의 검출감도를 향상시킬 수 있는 X-선 검출기 및 그 제조방법이 개시된다. 이는 종래의 P3HT:PCBM의 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출기의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출기에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지나, PBDB-T:ITIC 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출기의 경우 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 검출감도를 향상시킬 수 있어 X-선 영상 취득 시 피폭량을 낮출 수 있는 효과를 갖는다.
청구항
번호청구항
1

기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되고, 상기 기판 하부에서 발생한 가시광선을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층;상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층; 및상기 기판 하부에 형성되며, X-선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator)을 포함하고,상기 활성층은 공액폴리머 도너(donor)와 비플러렌 억셉터(acceptor)를 포함하되,상기 섬광체층은 ZnSe:Te로 형성되고, 상기 활성층은 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성되는 것이며,상기 PBDB-T:ITIC에서 PBDB-T와 ITIC의 중량비율은,620nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 ZnSe:Te의 스펙트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광(Absorbance) 스펙트럼 곡선의 정합도를 고려하여 1:1 내지 1:2를 갖는 것인 X-선 검출기.

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제1항에 있어서,상기 ZnSe:Te의 재질로 형성된 섬광체층은 1mm 내지 2mm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출기.

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제1항에 있어서,상기 PBDB-T:ITIC가 혼합된 활성층의 두께는 90nm 내지 110nm를 갖는 것인 X-선 검출기.

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기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층이 노출되도록 유전체층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 기판 하부에 ZnSe:Te로 형성된 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함하는 X-선 검출기의 제조방법.

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제8항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 PBDB-T와 상기 ITIC의 중량비율은,620nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 ZnSe:Te의 스펙트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 PBDB-T:ITIC의 혼합물로 형성된 활성층의 흡광(Absorbance) 스펙트럼 곡선의 정합도를 고려하여 1:1 내지 1:2를 갖는 것인 X-선 검출기의 제조방법.

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제8항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 X-선 검출기의 제조방법.

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