| 번호 | 청구항 |
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| 13 | 제10항에 있어서,상기 제1 열처리 온도는 400℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 설정되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 14 | 제10항에 있어서,상기 제3 열처리 온도는 650℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 설정되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 15 | 제1항에 있어서,상기 재열처리 단계는 600℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 수행되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 16 | 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따라 형성된, 이차전지용 양극 활물질. |
| 17 | 제16항에 있어서,제조되는 양극 활물질은 서로 응집되지 않은 복수의 일차 입자 상태로 형성되는,이차전지용 양극 활물질. |
| 18 | 제17항에 있어서,제조되는 양극 활물질은 층상 구조를 갖도록 형성되는,이차전지용 양극 활물질. |
| 19 | 제16항에 따른 이차전지용 음극 활물질을 포함하는, 이차전지용 양극. |
| 20 | 제19항에 기재된 양극과,음극과,상기 양극과 음극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는,이차전지. |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 제2 열처리 온도는 상기 제1 열처리 온도 보다 높은,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 제2 열처리 온도는 800℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 설정되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 제2 열처리 온도는 상기 제3 열처리 온도 보다 높고,상기 제3 열처리 온도는 상기 제1 열처리 온도 보다 높은,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 제2 열처리 온도는 750℃ 내지 950℃의 온도 범위에서 설정되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 펠렛 성형 단계는 50MPa 이상의 압축강도에서 수행되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 열처리 단계는,제1 열처리 온도에서 수행되는 제1 열처리 단계와;제2 열처리 온도에서 수행되는 제2 열처리 단계와;제3 열처리 온도에서 수행되는 제3 열처리 단계를 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 1 | 이차전지용 양극 활물질의 제조방법이며,원료 물질을 고상 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 원료 물질 혼합 단계와;상기 혼합 분말을 펠렛으로 성형하는 펠렛 성형 단계와;상기 펠렛 성형된 물질을 열처리하는 열처리 단계와;상기 열처리된 물질을 분쇄하는 분쇄 단계와;상기 분쇄된 물질을 열처리하는 재열처리 단계를 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 원료 물질 혼합 단계에서 혼합되는 원료 물질에는 Li 원료 물질, Ni 원료 물질, Co 원료 물질 및 Mn 원료 물질이 포함되는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 Li 원료 물질은 LiOH, Li2O, Li2CO3, Li2SO4 및 Li-acetate로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 4 | 제2항에 있어서,상기 Ni 원료 물질은 Ni(OH)2, Ni2CO3, NiO, NiSO4 Ni(NO3)2 및 Ni-acetate로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 5 | 제2항에 있어서,상기 Co 원료 물질은 Co(OH)2, CoCO3, Co3O4, Co2O3, CoO, CoSO4, Co(NO3)2 및 Co-acetate로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |
| 6 | 제2항에 있어서,상기 Mn 원료 물질은 MnO2, Mn2O3, Mn3O4, MnSO4, Mn(NO3)2 및 Mn-acetate로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는,이차전지용 양극 활물질의 제조방법. |