| 번호 | 청구항 |
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| 1 | (a) 종횡비가 목표 종횡비의 제1 소정 비율이 될 때까지, 기판에 플라즈마 식각 공정을 수행하여 제1 피쳐(feature) 및 상기 제1 피쳐의 측벽에 형성되는 제1 측벽보호층을 형성하는 단계;(b) 종횡비가 상기 목표 종횡비의 제2 소정 비율이 될 때까지, 상기 기판에 플라즈마 식각 공정을 수행하여 제2 피쳐를 형성하고, 상기 제2 피쳐의 측벽에 제2 측벽보호층을 형성하는 단계; 및(c) 종횡비가 상기 목표 종횡비가 될 때까지, 상기 기판에 플라즈마 식각 공정을 수행하여 제3 피쳐를 형성하고, 상기 제3 피쳐의 측벽에 제3 측벽보호층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 측벽보호층을 구성하는 원소, 상기 제2 측벽보호층을 구성하는 원소, 및 상기 제3 측벽보호층을 구성하는 원소는 서로 다르고,상기 제1 측벽보호층을 구성하는 원소는 C 및 F를 포함하거나 C, H 및 F를 포함하고,상기 제2 측벽보호층을 구성하는 원소는 N, H 및 할로겐 원소(F, Cl, Br 또는 I)를 포함하고,상기 제3 측벽보호층을 구성하는 원소는 N, H, Si 및 F를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법. |
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| 9 | 제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 상기 기판의 온도 또는 상기 기판이 적재된 퍽의 온도는 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계에서의 상기 기판의 온도 또는 상기 퍽의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법. |
| 10 | 제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 상기 기판의 온도 또는 상기 기판이 적재된 퍽의 온도는 상기 (c) 단계에서의 상기 기판의 온도 또는 상기 퍽의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법. |
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| 13 | 제1항에 있어서,상기 제1 측벽보호층, 상기 제2 측벽보호층 및 상기 제3 측벽보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법. |
| 14 | 제13항에 있어서,상기 제거하는 단계는, 상기 기판의 온도를 승온시켜 상기 제1 측벽보호층, 상기 제2 측벽보호층 및 상기 제3 측벽보호층을을 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법. |
