식각 처리 장치의 동작 방법으로서,챔버 내에서, 정전 척의 퍽 상에 적재된 기판에 대하여 플라즈마를 이용한 식각 공정을 수행하는 단계;상기 챔버 내에서, 상기 기판이 상기 퍽 상에 적재된 상태에서 상기 기판의 온도를 승온시키는 단계; 및상기 기판을 상기 챔버로부터 반출하는 단계를 포함하고,상기 정전 척은, 상기 퍽의 아래에 배치되는 몸체부로서, 열 전도 조절 가스로 형성된 압력을 기반으로 열 전도도가 조절되는 열 전도 조절 채널과, 상기 열 전도 조절 채널의 아래에 배치되고 냉매가 유동하는 내부 공간을 제공하는 냉매 채널을 포함하는 몸체부를 포함하고,상기 승온시키는 단계에서, 상기 열 전도 조절 채널 내 압력을 상기 식각 공정을 수행하는 단계에서의 압력보다 낮게 조절하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제1항에 있어서,상기 기판을 상기 챔버로 반입하고 상기 퍽 상에 적재하는 단계; 및상기 챔버 내에서, 상기 기판이 상기 퍽 상에 적재된 상태에서 상기 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

삭제

제1항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서,플라즈마 발생을 위한 RF 파워를 온 시키는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제4항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서의 RF 파워는 상기 식각 공정을 수행하는 단계에서의 RF 파워보다 크기가 작은 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제1항에 있어서,상기 퍽은, 상기 퍽에 매립된 히터 전극을 포함하고, 상기 승온시키는 단계에서, 상기 히터 전극에 공급되는 히터 파워를 온 시키는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제6항에 있어서,상기 퍽은, 상기 퍽에 매립된 양극(Bi-polar) 척킹 전극을 더 포함하고,상기 승온시키는 단계에서, 플라즈마 발생을 위한 RF 파워를 오프 시킨 상태에서 플라즈마 없이 상기 히터 파워를 온 시키는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제1항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서, 상기 냉매 채널에 상온의 냉매를 공급하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제2항에 있어서,상기 냉각시키는 단계에서, 상기 냉매 채널에 극저온의 냉매를 공급하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제9항에 있어서,상기 냉각시키는 단계에서, 상기 열 전도 조절 채널 내 압력을 상기 승온시키는 단계에서의 압력보다 높게 조절하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제2항에 있어서,상기 퍽은, 상기 퍽에 매립된 히터 전극을 포함하고,상기 냉각시키는 단계 및 상기 식각 공정을 수행하는 단계에서, 상기 열 전도 조절 채널 내 압력을 상기 승온시키는 단계에서의 압력보다 높게 조절하고,상기 승온시키는 단계에서, 플라즈마 발생을 위한 RF 파워를 온 시키거나 상기 히터 전극에 공급되는 히터 파워를 온 시키고, 상기 열 전도 조절 채널 내 압력을 상기 냉각시키는 단계 및 상기 식각 공정을 수행하는 단계에서의 압력보다 낮게 조절하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제11항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서, 플라즈마 발생을 위한 RF 파워를 온 시키고 동시에 상기 히터 전극에 공급되는 히터 파워를 온 시키며, 상기 승온시키는 단계에서의 RF 파워는 상기 식각 공정을 수행하는 단계에서의 RF 파워보다 크기가 작은 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제1항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서, 승온율은 1 ℃/min 내지 120 ℃/min인 것을 특징으로 하는 동작 방법.

제1항에 있어서,상기 승온시키는 단계에서, 승온율은 5 ℃/min 내지 10 ℃/min인 것을 특징으로 하는 동작 방법.