(a) 지르코늄(Zr) 분말, 원소 A의 분말 및 원소 B의 분말의 혼합 분말을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 혼합 분말에 기계적 에너지를 인가해 하기 화학식으로 표시되는 층상구조 3원계 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는 층상구조 3원계 화합물의 제조방법에 의해 제조된 층상구조 3원계 화합물을 포함하는 이차전지용 전극 활물질: [화학식]ZrAB(상기 화학식에서, A는 Si 또는 Ge이고, B는 S, Sb, Se, Te 로부터 선택되는 1종의 원소임).

제1항에 있어서,상기 층상구조 3원계 화합물의 제조방법은, (a) 지르코늄(Zr) 분말, 실리콘(Si) 분말 및 황(S) 분말의 혼합 분말을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 혼합 분말에 기계적 에너지를 인가해 ZrSiS를 합성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전극 활물질.

제1항에 있어서,상기 층상구조 3원계 화합물의 제조방법은, (a) 지르코늄(Zr) 분말, 게르마늄(Ge) 분말 및 안티몬(Sb) 분말의 혼합 분말을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 혼합 분말에 기계적 에너지를 인가해 ZrGeSb를 합성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전극 활물질.

제1항 있어서,상기 단계 (b)에서 고에너지 스펙스 밀(high-energy spex mill), 진동 밀(vibrotary-mill), Z 밀(Z-mill), 유성 밀(planetary ball-mill) 또는 어트리션 밀(attrition-mill)로 기계적 에너지를 인가하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전극 활물질.

제1항에 있어서,상기 단계 (b)에서 평균 직경 1nm 이상 500μm 이하인 층상구조 3원계 화합물 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 전극 활물질.

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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 이차전지용 전극 활물질을 포함하는 이차전지.