| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 화학식 1로 표시되는 물질을 포함하며, 강자성을 가지는 유기 자성 물질.[화학식 1] 화학식 1에서 A1, A2, 및 A3은 각각 독립적으로 탄소 또는 질소이고, A1, A2, 및 A3 중에서 적어도 하나는 질소이고, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 50의 알킬기이고, R2, R3, R4, R5, R6, 및 R7은 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, x는 1 내지 2이고, y는 0 내지 4이고, n은 10 내지 10000000 사이의 정수이다. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서, A1은 질소인 유기 자성 물질. |
| 4 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 5 내지 50의 알킬기인 유기 자성 물질. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서, y는 0 또는 1인 유기 자성 물질. |
| 7 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 아래의 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하는 유기 자성 물질. [화학식 2]화학식 2에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 50의 알킬기이고, n은 10 내지 10000000 사이의 정수이다. |
| 8 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 아래의 화학식 3으로 표시되는 물질을 포함하는 유기 자성 물질. [화학식 3]화학식 3에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 50의 알킬기이고, n은 10 내지 10000000 사이의 정수이다. |
| 9 | 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 반도체 물질인 유기 자성 물질. |
| 10 | 기판; 상기 기판 상의 소스/드레인 패턴들; 상기 소스/드레인 패턴들 사이에 개재되고, 1항에 따른 유기 자성 물질을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 제공되며, 상기 반도체층과 이격 배치된 게이트 패턴; 및상기 반도체층 및 상기 게이트 패턴 사이의 게이트 절연막을 포함하는 반도체 소자. |
