스트론튬 티탄산염(SrTiO3)을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 펄스드 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD)을 통해 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO3)을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에, 펄스트 레이저 증착법을 통해 비스무스 페라이트(BiFeO3)를 포함하는 강유전층을 형성하는 단계; 및 상기 강유전층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 기판으로부터 에피택셜 성장(epitaxial growth)되고, 상기 강유전층은 상기 제1 전극으로부터 에피택셜 성장되고, 상기 강유전층을 형성하기 위한 레이저 에너지 밀도(Laser energy density)가 제어됨에 따라, 다중 정전용량 특성이 제어되되,상기 레이저 에너지 밀도는 2.0 J/cm2 초과 2.7 J/cm2 미만으로 제어되는 것을 포함하는 멤커패시터의 제조 방법.

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제1 항에 있어서, 상기 강유전층을 형성하는 단계 이후 상기 제2 전극을 형성하는 단계 이전, 상기 강유전층을 냉각시키는 단계를 더 포함하되, 상기 강유전층의 냉각 속도가 제어됨에 따라, 다중 정전용량 특성이 제어되는 것을 포함하는 멤커패시터의 제조 방법.

제4 항에 있어서, 상기 강유전층의 냉각 속도가 20℃/min으로 제어됨에 따라, 다중 정전용량 특성이 나타나는 것을 포함하는 멤커패시터의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하기 위한 레이저 에너지 밀도 및 레이저 펄스 수는, 상기 강유전층을 형성하기 위한 레이저 에너지 밀도 및 레이저 펄스 수 보다 작은 것을 포함하는 멤커패시터의 제조 방법.

스트론튬 티탄산염(SrTiO3)을 포함하는 기판;상기 기판 상에 배치되고, 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO3)을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 비스무스 페라이트(BiFeO3)를 포함하는 강유전층; 및 상기 강유전층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하되, 다중 정전용량 특성을 갖고,상기 강유전층 내 Fe3+ 이온의 비율이 Fe2+ 이온의 비율보다 높은 것을 포함하는 멤커패시터.

제7 항에 있어서, 4개 이상의 정전용량 값을 갖는 것을 포함하는 멤커패시터.

제7 항에 있어서, 상기 강유전층은 단결정(single-crystalline) 구조를 갖는 것을 포함하는 멤커패시터.

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제7 항에 있어서, 양(+)의 바이어스가 인가되는 경우 상기 강유전층 내 Fe3+ 이온은 Fe2+ 이온으로 변화되고, 음(-)의 바이어스가 인가되는 경우 상기 강유전층 내 Fe2+ 이온은 Fe3+ 이온으로 변화되는 것을 포함하는 멤커패시터.

제7 항에 있어서, 양(+)의 바이어스가 인가되는 경우 상기 제1 전극으로부터 발생된 전자가 상기 강유전층 내 산소 공공(vacancy)과 결합되고, 음(-)의 바이어스가 인가되는 경우 상기 강유전층 내 산소 공공과 결합된 전자가, 상기 산소 공공으로부터 방출되는 것을 포함하는 멤커패시터.