| 번호 | 청구항 |
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| 10 | 청구항 6에 있어서,상기 제2 블록은 아크릴레이트 계열 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법. |
| 11 | 청구항 6에 있어서,상기 강유전성 고분자는 이소불화비닐을 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법. |
| 12 | 청구항 6에 있어서,상기 카이랄 전이제는 리모넨인, 고분자 구조체 제조 방법. |
| 9 | 청구항 6에 있어서,상기 공액 디엔 제1 블록은 3-알킬티오펜 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법. |
| 1 | 나선형으로 배열된 공액 디엔 제1 블록 및 상기 제1 블록에 결합된 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체; 및 상기 제2 블록에 결합되어 상기 제1 블록을 따라 나선형으로 배열된 강유전성 고분자;를 포함하는 고분자 구조체. |
| 2 | 청구항 1에 있어서,상기 공액 디엔 제1 블록은 3-알킬티오펜 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체. |
| 3 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 양 말단에 결합된 것인, 고분자 구조체. |
| 4 | 청구항 1에 있어서,상기 제2 블록은 아크릴레이트 계열 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체. |
| 5 | 청구항 1에 있어서,상기 강유전성 고분자는 이소불화비닐을 포함하는 것인, 고분자 구조체. |
| 6 | 공액 디엔 제1 블록 및 이와 공중합 가능한 제2 블록으로 이루어진 블록 공중합체를 카이랄 전이제 및 강유전성 고분자 존재 하에 자기조립하는 단계를 포함하며,상기 제1 블록은 나선형으로 배열되고,상기 강유전성 고분자는 제2 블록과 결합하여 상기 제1 블록을 따라 나선형으로 배열되는 고분자 구조체 제조 방법. |
| 7 | 청구항 6에 있어서,상기 자기조립은 블록 공중합체에 대한 상대적인 용해도가 높은 용매를 포함하는 블록 공중합체 용액에 블록 공중합체에 대한 상대적인 용해도가 낮은 용매, 카이랄 전이제 및 강유전성 고분자를 첨가하여 두 용매의 용해도 차이로 인해 수행되는 것인, 고분자 구조체 제조 방법. |
| 8 | 청구항 7에 있어서,상기 블록 공중합체는 poly(3-hexylthiophene)-b-poly(methyl methacrylate) (P3HT-b-PMMA)이고, 상기 용액의 용매는 테트라하이드로퓨란이고, 상기 용해도가 낮은 용매는 n-부틸아세테이트인, 고분자 구조체 제조 방법. |