원편광 감응 강유전성 고분자 구조체 및 이의 제조방법
CIRCULARLY POLARIZED LIGHT-RESPONSIVE FERROELECTRIC POLYMER AND METHOD OF PREPARING THEREOF
특허 요약
본 발명은 새로운 원편광 감응 강유전성 고분자 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 고분자 구조체는 공액 고분자의 나선형 구조로 인한 원편광 감응 능력을 가지며, 상기 나선형 구조에 강유전성 고분자가 계층적으로 결합되어 있다. 또한, 본 발명에서는 공액 고분자의 자기조립 과정을 활용하여 카이랄 전이제 및 강유전성 고분자 도입을 통해 상기 고분자 구조체를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 제조 방법은 용액 공정으로 경제적이고 간편하게 수행될 수 있다.
청구항
번호청구항
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청구항 6에 있어서,상기 제2 블록은 아크릴레이트 계열 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법.

11

청구항 6에 있어서,상기 강유전성 고분자는 이소불화비닐을 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법.

12

청구항 6에 있어서,상기 카이랄 전이제는 리모넨인, 고분자 구조체 제조 방법.

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청구항 6에 있어서,상기 공액 디엔 제1 블록은 3-알킬티오펜 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체 제조 방법.

1

나선형으로 배열된 공액 디엔 제1 블록 및 상기 제1 블록에 결합된 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체; 및 상기 제2 블록에 결합되어 상기 제1 블록을 따라 나선형으로 배열된 강유전성 고분자;를 포함하는 고분자 구조체.

2

청구항 1에 있어서,상기 공액 디엔 제1 블록은 3-알킬티오펜 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체.

3

청구항 1에 있어서,상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 양 말단에 결합된 것인, 고분자 구조체.

4

청구항 1에 있어서,상기 제2 블록은 아크릴레이트 계열 단량체 유래 반복 단위를 포함하는 것인, 고분자 구조체.

5

청구항 1에 있어서,상기 강유전성 고분자는 이소불화비닐을 포함하는 것인, 고분자 구조체.

6

공액 디엔 제1 블록 및 이와 공중합 가능한 제2 블록으로 이루어진 블록 공중합체를 카이랄 전이제 및 강유전성 고분자 존재 하에 자기조립하는 단계를 포함하며,상기 제1 블록은 나선형으로 배열되고,상기 강유전성 고분자는 제2 블록과 결합하여 상기 제1 블록을 따라 나선형으로 배열되는 고분자 구조체 제조 방법.

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청구항 6에 있어서,상기 자기조립은 블록 공중합체에 대한 상대적인 용해도가 높은 용매를 포함하는 블록 공중합체 용액에 블록 공중합체에 대한 상대적인 용해도가 낮은 용매, 카이랄 전이제 및 강유전성 고분자를 첨가하여 두 용매의 용해도 차이로 인해 수행되는 것인, 고분자 구조체 제조 방법.

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청구항 7에 있어서,상기 블록 공중합체는 poly(3-hexylthiophene)-b-poly(methyl methacrylate) (P3HT-b-PMMA)이고, 상기 용액의 용매는 테트라하이드로퓨란이고, 상기 용해도가 낮은 용매는 n-부틸아세테이트인, 고분자 구조체 제조 방법.