제3 항에 있어서,상기 제1 전이금속 디칼코게나이드 층은 MoS2를 포함하고,상기 제2 전이금속 디칼코게나이드 층은 WSe2를 포함하고,상기 금속 산화물 층은 CeO2, STO, 또는 HfO2 중 하나 이상을 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법.

기판, 전이금속 디칼코게나이드 타겟, 및 금속 산화물 타겟을 준비하는 단계; 및상기 전이금속 디칼코게나이드 타겟에 펄스레이저 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1 증착 공정과 상기 금속 산화물 타겟에 펄스레이저 증착법을 이용하여 상기 전이금속 디칼코게나이드 층상에 금속 산화물 층을 증착하는 제2 증착 공정을, 교대로 그리고 반복적으로 수행하여, 이종 접합 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 전이금속 디칼코게나이드 타겟의 칼코겐 원소의 비율이, 상기 전이금속 디칼코게나이트 층의 칼코겐 원소의 비율보다, 높게 제어되는 것을 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법

제1 항에 있어서,칼코겐 원소는 Se를 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 증착 공정은,제1 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-1 증착 공정; 및상기 제1 전이금속 디칼코게나이드 층 상에 제2 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-2 증착 공정을 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법.

기판을 준비하는 단계; 및펄스레이저 증착법으로 상기 기판 상에 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1 증착 공정과 펄스레이저 증착법으로 상기 전이금속 디칼코게나이드 층상에 금속 산화물 층을 증착하는 제2 증착 공정을, 교대로 그리고 반복적으로 수행하여, 이종 접합 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 제1 증착 공정은,제1 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-1 증착 공정; 및상기 제1 전이금속 디칼코게나이드 층 상에 제2 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-2 증착 공정을 포함하고, 상기 제1 증착 공정과 상기 제2 증착 공정은 Ar 가스 분위기에서 수행되는 것을 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법.

제5 항에 있어서,상기 제1 증착 공정에서, Ar 가스와 함께 칼코겐 가스가 제공되는 것을 포함하는, 이종 접합 구조체의 제조 방법.

기판, 제1 전극, 및 제2 전극을 준비하는 단계;펄스레이저 증착법으로 상기 기판 상에 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1 증착 공정과 펄스레이저 증착법으로 상기 전이금속 디칼코게나이드 층상에 금속 산화물 층을 증착하는 제2 증착 공정을, 교대로 그리고 반복적으로 수행하여, 이종 접합 구조체를 제조하는 단계; 및상기 제1 전극 및 상기 제1 전극 상의 상기 제2 전극 사이에 상기 이종 접합 구조체를 배치하여, 유전막을 제조하는 단계를 포함하되,상기 제1 증착 공정은,제1 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-1 증착 공정; 및상기 제1 전이금속 디칼코게나이드 층 상에 제2 전이금속 디칼코게나이드 층을 증착하는 제1-2 증착 공정을 포함하고,상기 제1 증착 공정과 상기 제2 증착 공정은 Ar 가스 분위기에서 수행되는 것을 포함하는, 멤커패시터의 제조 방법.

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