| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 전도성 투명 기판 상에 산화아연 박막을 형성하는 단계;상기 산화아연 박막을 표면개질하는 단계; 및상기 표면개질된 산화아연 박막 상에 수열 합성에 의해 산화아연 나노 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 산화아연 나노 어레이는 이종 전이금속이 도핑된 산화아연 나노입자들을 포함하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법. |
| 2 | 청구항 1에 있어서, 상기 광전기화학 전극은 글리세롤의 선택적 산화 전극인, 광전기화학 전극의 제조방법. |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 청구항 1에 있어서, 상기 산화아연 박막을 표면개질하는 단계는, 상기 산화아연 박막을 에칭시키는 방법을 이용하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법. |
| 5 | 청구항 1에 있어서,상기 산화아연 나노 어레이를 형성하는 단계는,산화아연 전구체 및 전이금속 전구체를 용매에 혼합한 용액을 제조하는 단계; 및상기의 용액에 상기 표면개질된 산화아연 박막을 함침시키는 단계를 포함하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법. |
| 6 | 청구항 5에 있어서,상기 전이금속 전구체의 함량은 상기 산화아연 전구체 함량의 1 내지 10mol%, 광전기화학 전극의 제조방법. |
| 7 | 전도성 투명 기판;상기 전도성 투명 기판 상에 표면개질된 산화아연 박막; 및상기 산화아연 박막 상에 산화아연 나노 어레이를 포함하는 것으로,상기 산화아연 나노 어레이는 이종 전이금속이 도핑된 산화아연 나노입자들을 포함하는 것인, 광전기화학 전극. |