단일결합과 이중결합의 반복으로 형성되어 π-공액 구조를 갖는 하기 화학식 1로 나타나는 공액고분자; 및상기 공액고분자를 N 타입으로 도핑하기 위한 물질로 테트라 부틸 암모늄 유도체를 함유하는 N형 도판트;를 포함하고,상기 N형 도판트는 상기 공액고분자 및 유기용매를 포함한 용액의 전체 질량 대비 0.1 내지 0.5 질량%으로 첨가되어 혼합되는 것을 특징으로 하는 도핑된 공액고분자:[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1, R2, R3와 R4 는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, n은 1 내지 1000 중 어느 하나의 정수이다.

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제1 항에 있어서, 상기 테트라 부틸 암모늄 유도체를 함유하는 도판트는 테트라 부틸 암모늄 플로라이드(Tetrabutylammonium fluoride, TBAF) 또는 수산화 테트라 부틸 암모늄(Tetrabutylammonium hydroxide, TBAOH)인 것을 특징으로 하는 도핑된 공액고분자.

제1 항에 있어서, 상기 공액고분자는 카본나노튜브와 화학적으로 혼합되어 복합체를 이루는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 공액고분자.

제4 항에 있어서, 상기 카본나노튜브는 싱글 카본나노튜브(single-walled carbon nanotubes)인 것을 특징으로 하는 도핑된 공액고분자.

제4 항에 있어서, 상기 복합체의 공액고분자와 카본나노튜브를 몰비 2:1로 혼합되어 복합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 도핑된 공액고분자.

기판;상기 기판 상에 양측면에 대항하여 형성되는 소스 전극층과 드레인 전극층;상기 소스 전극층과 드레인 전극층 일면에 전기적으로 연결되어 형성되고, 하기 화학식 1로 나타나는 공액고분자 또는 상기 공액고분자가 카본나노튜브에 화학적으로 결합되어 형성된 복합체가 테트라 부틸 암모늄 유도체를 함유하는 N형 도판트에 의해 도핑되는 N 채널층;상기 N 채널층 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 일면에 형성된 게이트층;을 포함하는 유기전계효과 트랜지스터:[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1, R2, R3와 R4 는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 1 내지 25의 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, n은 1 내지 1000 중 어느 하나의 정수이다.

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제7 항에 있어서, 상기 테트라 부틸 암모늄 유도체를 함유하는 도판트는 테트라 부틸 암모늄 플로라이드(Tetrabutylammonium fluoride, TBAF) 또는 수산화 테트라 부틸 암모늄(Tetrabutylammonium hydroxide, TBAOH)인 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터.

제7 항에 있어서, 상기 N 채널층에서 상기 카본나노튜브는 싱글카본나노튜브(single-walled carbon nanotubes)인 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터.

제7 항에 있어서, 상기 N 채널층에서 상기 복합체는 공액고분자와 카본나노튜브 몰비 2:1로 혼합되어 화학적으로 결합되어 복합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터.