제2항에 있어서, 상기 제1에칭단계에서, 반응성 이온에칭(RIE)을 수행하여 상기 제1코팅층 외측의 상기 가공층을 제거하는,마이크로렌즈 제조방법.

제2항에 있어서, 상기 제1코팅재는 포토 레지스트(PR:Photo Resist)인,마이크로렌즈 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 가공층 제거단계는 상기 렌즈부의 상면을 덮도록 제1코팅재를 도포하여 상기 렌즈부 상부에 제1코팅층을 형성하는 제1코팅단계; 및상기 제1코팅단계 이후, 상기 제1코팅층 외측의 상기 가공층을 제거하는 제1에칭단계;를 포함하는,마이크로렌즈 제조방법.

베이스판과, 상기 베이스판의 상부에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성된 가공층이 마련된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비단계;상기 웨어퍼의 가공층 상부에 다수의 마이크로렌즈를 가공하는 렌즈 가공단계;적어도 하나의 상기 마이크로렌즈가 포함되도록 상기 가공층 중 일부분을 렌즈부로 설정하는 단위 설정단계;상기 렌즈부를 제외한 상기 가공층을 제거하는 가공층 제거단계;상기 가공층 제거단계 이후, 상기 렌즈부와 베이스판 사이에 지지부재를 형성하는 지지단계; 상기 지지단계 이후, 상기 지지부재에 상기 렌즈부가 지지될 수 있도록 상기 웨이퍼에서 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거단계; 및 상기 절연층 제거단계 이후, 상기 지지부재로부터 상기 렌즈부를 분리하는 분리단계;를 포함하는, 마이크로렌즈 제조방법.

제2항에 있어서, 상기 지지단계는상기 절연층을 제거하는 것으로서, 상기 렌즈부와 베이스판 사이에 상기 절연층 중 일부가 잔류하되, 잔류하는 상기 절연층은 적어도 일측 가장자리가 상기 렌즈부의 가장자리보다 상기 렌즈부의 중심 측으로 인입되도록 상기 절연층을 에칭하는 제2에칭단계;상기 제2에칭단계 이후에 상기 제1코팅층을 제거하는 제1코팅층 제거단계; 상기 베이스판 및 렌즈부의 상부를 덮도록 제2코팅재를 도포하여 상기 베이스판 및 렌즈부 상부에 제2코팅층을 형성하되, 상기 제2코팅재를 상기 렌즈부 및 베이스판의 사이 공간으로 주입하는 제2코팅단계; 및상기 렌즈부 및 베이스판의 사이공간으로 유입된 상기 제2코팅재가 상기 지지부재를 형성할 수 있도록 상기 렌즈부 및 베이스판의 사이공간으로 유입된 상기 제2코팅재를 제외한 상기 제2코팅층을 제거하는 제2코팅층 제거단계;를 포함하는, 마이크로렌즈 제조방법.

제5항에 있어서, 상기 제2코팅재는 포토 레지스트(PR:Photo Resist)인,마이크로렌즈 제조방법.

제5항에 있어서, 상기 제2에칭단계에서는 상기 절연층에 대해 소정의 전해질 용액으로 에칭하는,마이크로렌즈 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 전해질 용액은 플루오린화 수소(HF: hydrofluoric acid)가 포함된,마이크로렌즈 제조방법.

제5항에 있어서, 상기 제2코팅층 제거단계에서, 상기 제2코팅층을 전면 노광(Flood exposure)하여 제거하는,마이크로렌즈 제조방법.

제5항에 있어서, 상기 절연층 제거단계에서, 상기 렌즈부와 베이스판 사이에 잔류하는 상기 절연층을 제거하는,마이크로렌즈 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 절연층 제거단계에서, 상기 절연층에 대해 소정의 전해질 용액으로 에칭하는,마이크로렌즈 제조방법.

제11항에 있어서, 상기 전해질 용액은 플루오린화 수소(HF: hydrofluoric acid)가 포함된,마이크로렌즈 제조방법.

제1항에 있어서, 상기 분리단계는 상기 렌즈부가 점착되도록 상기 베이스판의 상부에 스탬프 부재를 부착하는 부착단계; 및 상기 스탬프 부재에 점착된 상기 렌즈부가 상기 지지부재로부터 분리되도록 상기 스탬프 부재를 상기 베이스판으로부터 분리시키는 탈착단계;를 포함하는, 마이크로렌즈 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 분리단계는 상기 스탬프 부재에 점착된 상기 렌즈부를 설치대상 기판의 표면에 전사하는 전사단계;를 더 포함하는,마이크로렌즈 제조방법.

제13항에 있어서, 상기 스탬프 부재는 폴리디메틸실록산 스탬프(polydimethylsiloxane stamp)인,마이크로렌즈 제조방법.