실리콘 기판; 및상기 실리콘 기판의 수광면(A) 또는 비수광면(B) 상에 배치된 전극을 포함하고,상기 실리콘 기판은 수광면에서 비수광면 방향으로 형성된 비관통홀을 포함하며,비관통홀 입구(E)의 직경은 비관통홀 말단(T)의 직경보다 큰, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 비관통홀 입구의 경사도(θ)는 0도 초과 60도 이하인, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 비관통홀은 직경이 감소하는 제1영역을 포함하는, 광전소자.

제3항에 있어서,상기 비관통홀은 상기 제1영역으로부터 연장되며, 직경이 일정하게 유지되는 제2영역을 더 포함하며,상기 제1 영역의 깊이(d1)에 대한 상기 제2영역의 깊이(d2) 비는 1 내지 10인, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 비관통홀의 깊이(d)는 1 내지 30㎛이고상기 실리콘 기판의 두께(D)는 50 내지 150㎛이며,상기 실리콘 기판의 두께(D)는 상기 비관통홀의 깊이 보다 큰, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 광전소자의 총 두께는 60 내지 160㎛인, 광전소자.

제1항에 있어서,비관통홀 입구(E)의 직경(r1)은 2 내지 20㎛이고,비관통홀 말단(T)의 직경(r2)은 1 내지 10㎛인, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 비도핑된 실리콘 기판이고,상기 비관통홀 표면 상에 배치된 보호층; 및 상기 실리콘 기판 중 상기 보호층과 인접한 영역에 형성된 반전층(inversion layer)를 포함하는, 광전소자.

제8항에 있어서,상기 보호층은 비정질 실리콘, 수소화 비정질 실리콘, 금속산화물, 금속질화물 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 금속산화물은 Al2O3, HfO2, Ga2O3, Ta2O5, SiO2, PO3, TiO2, Nb2O5 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 금속질화물은 Si3N4, AlN 또는 이들의 조합을 포함하는, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 N형 실리콘 기판 또는 P형 실리콘 기판을 포함하고,상기 실리콘 기판의 비수광면 상에 형성된 불순물 확장층을 더 포함하는, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 전극은 상기 실리콘 기판의 수광면 상에 배치된 제1 전극; 및 상기 실리콘 기판의 비수광면 상에 배치된 제2 전극;을 포함하는, 광전소자.

제11항에 있어서,상기 실리콘 기판의 수광면과 상기 제1 전극 사이에 배치된 제1금속산화물층; 및상기 실리콘 기판의 비수광면과 상기 제2 전극 사이에 배치된 제2금속산화물층을 더 포함하는, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 전극은 상기 실리콘 기판의 비수광면 상에 배치되며, 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는, 광전소자.

제13항에 있어서,상기 실리콘 기판의 비수광면과 상기 제1 전극 사이에 배치된 제1금속산화물층; 및상기 실리콘 기판의 비수광면과 상기 제2 전극 사이에 배치된 제2금속산화물층을 더 포함하며,상기 제1금속산화물층과 상기 제2금속산화물층은 서로 이격된, 광전소자.

제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 수광면 전체 면적에 대한 비관통홀이 형성된 면적의 비율은 60% 이상인, 광전소자.