제1 금속 산화물층;상기 제1 금속 산화물층의 상면에 형성된 금속층; 및상기 금속층의 상면에 형성된 제2 금속 산화물층을 포함하며,대류열전달계수(convective heat transfer coefficient)가 350 내지 365W・cm-2・C-1인투명 면상 발열체.

제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층은 산화물빛반사 방지층 및 부식 방지층으로 포함되는투명 면상 발열체.

제1항에 있어서, 상기 금속층은 Cu이며, 두께가 4 내지 40nm인투명 면상 발열체.

제1항에 있어서,상기 투명 면상 발열체의 면저항은 0.85 내지 96.2Ω/sq인투명 면상 발열체.

제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 산화물층은 ZTO(Zinc Tin Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZAO(Zinc Aluminum Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TiOx(Titanium oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는투명 면상 발열체.

제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층은 두께가 10 내지 30nm인투명 면상 발열체.

제1항에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층은 두께가 30 내지 50nm인투명 면상 발열체.

1. 기판의 일면에 스퍼터법에 의해 제1 금속 산화물층을 형성하는 단계;2) 상기 제1 금속 산화물층의 상면에 전자빔증발장치를 이용하여 금속층을 형성하는 단계; 및3) 상기 금속층의 상면에 스퍼터법에 의해 제1 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 2) 단계는 금속 펠렛을 전자빔증발장치로 0.1 내지 0.4nm/s의 증착률로 형성하는 것인투명 면상 발열체의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 1) 단계 및 상기 3) 단계는 불활성 기체 환경 하에서 증착률이 0.03 내지 0.06nm/s인투명 면상 발열체의 제조 방법.

제8항에 있어서,상기 투명 면상 발열체의 양 측면에 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는투명 면상 발열체의 제조 방법.