| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 제1 금속 산화물층;상기 제1 금속 산화물층의 상면에 형성된 금속층; 및상기 금속층의 상면에 형성된 제2 금속 산화물층을 포함하며, 상기 제1 금속 산화물층은 젖음성이 우수한 금속 핵형성층인투명 전극. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 금속층은 제1 금속 산화물층에 금속 핵이 복수로 형성되어 금속층을 형성하는 것인투명 전극. |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 4nm 내지 12nm인투명 전극. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 산화물층은 ZTO(Zinc Tin Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZAO(Zinc Aluminum Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TiOx(Titanium oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는투명 전극. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 제1 금속층은 비정질 금속 산화물층이며, 상기 제2 금속 산화물층은 결정질 금속 산화물층인투명 전극. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Pt, Al, Cu, Cr, V, Mg, Ti, Sn, Pb, Pd, W 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는투명 전극. |
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| 8 | 제1항 내지 제6항에 따른 투명 전극을 포함하는투명 히터. |