금속층, 금속 산화물층 및 유기층으로 이루어진 군에서 선택되는 제1층; 및상기 제1층의 일면에 형성되는 투습 방지층을 포함하며, 상기 투습 방지층은 산화알루미늄(Al2O3)층을 포함하며,상기 투습 방지층은 제1층의 일면에 0.5nm 내지 1.5nm의 두께로 알루미늄을 증착하고, 상기 알루미늄을 산화하여 산화알루미늄을 형성하며,상기 알루미늄의 증착 및 산화를 반복하여 형성하는고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판.

제1항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Pt, Al, Cu, Cr, V, Mg, Ti, Sn, Pb, Pd, W 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판.

제1항에 있어서, 상기 금속 산화물층은 ZTO(Zinc Tin Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZAO(Zinc Aluminum Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), TiOx(Titanium oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판.

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제1항에 있어서,상기 투습 방지층의 두께는 1 nm 내지 200nm인고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판.

1. 금속층, 금속 산화물층 및 유기층으로 이루어진 군에서 선택되는 제1층의 일면에 0.5nm 내지 1.5nm의 두께로 알루미늄을 증착하는 단계; 및2) 상기 제1 층의 일면에 형성된 알루미늄을 산화시켜 산화알루미늄을 형성하는 단계를 포함하며,상기 1) 단계 및 2) 단계를 반복하여 제1층의 일면에 투습 방지층을 형성하는고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판의 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 투습 방지층의 두께는 1 nm 내지 60nm인고투명성 투습 방지층을 포함하는 기판의 제조 방법.

제1항 내지 제3항 및 제5항 중 어느 한 항에 따른 투습 방지층을 포함하는 기판을 포함하는투명 히터.

제8항에 있어서, 상기 투명 히터는 제1 금속 산화물층; 금속층; 및 제2 금속 산화물층을 포함하며, 상기 제2 금속 산화물층의 일면에 투습 방지층이 형성되는투명 히터.

제1항 내지 제3항 및 제5항 중 어느 한 항에 따른 투습 방지층을 포함하는 기판을 포함하는전자소자.