반도체 소자용 및 MLCC용 커패시터
CAPACITOR FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MLCC
특허 요약
반도체 소자용 및 MLCC용 커패시터는 전도성 박막을 포함하는 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되고, SrRuO 3 를 포함하는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성되고, Ru를 포함하는 기능층, 및 상기 기능층 상에 형성되고, BaTiO 3 를 포함하는 유전체층을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 유전체층의 결정화 온도를 낮추어 상기 유전체층의 유전율을 증가시킬 수 있다. 상기 기능층은 상기 버퍼층을 코팅하여 상기 버퍼층의 안정성을 증가시킬 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 전도성 박막을 포함하는 하부전극;상기 하부전극 상에 형성되고, SrRuO3를 포함하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, Ru를 포함하는 기능층; 및상기 기능층 상에 형성되고, BaTiO3를 포함하는 유전체층을 포함하고,상기 버퍼층은 상기 유전체층의 결정화 온도를 낮추어 상기 유전체층의 유전율을 증가시키고,상기 기능층은 상기 버퍼층을 코팅하여 상기 버퍼층의 안정성을 증가시키고,상기 버퍼층은,스퍼터링 공정을 통해 상기 하부전극 상에 SrRuO3 박막이 증착되는 단계, 및 후속 열처리를 통해 상기 SrRuO3 박막이 결정화되는 단계에 의해 형성되되, 상기 후속 열처리를 통해 상기 SrRuO3 박막이 결정화되는 단계는,1Torr 내지 100Torr의 불활성 N2 분위기에서, 600℃ 내지 750℃ 온도로 상기 SrRuO3 박막을 1분 내지 30분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는,반도체 소자용 및 MLCC용 커패시터. |
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| 5 | 제1항에 있어서,상기 유전체층은,스퍼터링 공정을 통해 상기 버퍼층 상에 BaTiO3 박막이 증착되는 단계, 및 상기 BaTiO3 박막이 결정화되는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는,반도체 소자용 및 MLCC용 커패시터. |
