플라즈마 처리 장치 및 방법
APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING PLASMA
특허 요약
플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 처리실, 상기 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 재치대, 상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극, 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 및 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 기판 바이어스 인가부를 포함할 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 플라즈마 처리 장치에 있어서,처리실;상기 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 재치대;상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극; 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극;상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 음이온, 양이온 및 라디칼(Radical)을 포함하는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 기판 바이어스 인가부를 포함하고,상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 샘플을 활성화시키고,상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 인가되는 양극 바이어스 전압 및 음극 바이어스 전압 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써 상기 플라즈마를 강화 또는 약화시키고 상기 플라즈마의 밀도를 제어함으로써 상기 샘플의 활성화 정도를 선택적으로 증감시고,상기 기판은 패턴이 형성되어 있는 패턴 영역을 포함하고,상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판의 상기 패턴 영역 상에 위치하는 일부 영역을 대전시킴으로써 상기 패턴 영역 상에 위치하는 상기 플라즈마의 밀도를 제어하키는 것인, 플라즈마 처리 장치. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 샘플은 1차원 소재 또는 2 차원 소재를 포함하는 것인, 플라즈마 처리 장치. |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 전사된 샘플의 전체 영역 중 상기 기판에 형성된 패턴 영역 상에 위치하는 일부 영역을 활성화시키는 것인, 플라즈마 처리 장치. |
